Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом

DOI: 10.21883/ftt.2016.11.43727.4k

Данилов Ю.А.^1,2,3, Boudinov H.³, Вихрова О.В.², Здоровейщев А.В.², Кудрин А.В.^1,2, Павлов С.А.⁴, Парафин А.Е.^1,4, Питиримова Е.А.¹, Якубов Р.Р.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

³Institute of Physics, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil
⁴Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: danilov@nifti.unn.ru

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Показано, что слои (Ga, Mn)As, сформированные методом имплантации ионов Mn⁺ в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера с плотностью энергии до 200-300 mJ/cm², обладают свойствами полупроводника p-типа и ферромагнитными свойствами. Определена пороговая доза имплантированных ионов (~10¹⁵ cm^-2) для активации акцепторов Mn. С дальнейшим повышением дозы ионов Mn⁺ увеличивается слоевая концентрация дырок и температура Кюри. Петли гистерезиса в магнитополевых зависимостях эффекта Холла, отрицательное магнетосопротивление, магнитные и структурные исследования свидетельствуют о том, что слои являются аналогами однофазных ферромагнитных соединений (Ga, Mn)As, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Работа поддержана проектами 8.1054.2014/K, 3.285.2014/K и N 3423 госзадания Минобрнауки РФ, грантами РФФИ N 15-02-07824_а, 16-07-01102_а и грантом (МК-8221.2016.2) президента РФ.

F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials. Ed. K.H.J. Buschow: Elsevier (2002). V. 14. P. 1
С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая. Изв. вузов. Физика 28, 107 (1985)
O.D.D. Couto, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, C. Giles, C. Adriano, J.R.R. Bortoleto, M.A.A. Pudenzi, H.R. Gutierrez, I. Danilov. Appl. Phys. Lett. 86, 071906 (2005)
А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Наука, М. (1982). 208 с
S. Zhou. J. Phys. D 48, 263001 (2015)
P.J. Flanders. J. Phys. D: Appl. Phys. 63, 3940 (1988)
E. Wendler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 267, 2680 (2009)
Л.А. Жукова, М.А. Гуревич. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1971). 176 с
Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, Е.А. Питиримова, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, М. Бехар, М.А.А. Пудензи. Изв. РАН. Сер. физ. 68, 65 (2004)
J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 268, 1818 (2010)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys. 53, R123 (1982)
Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с
K.Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B 72, 085201 (2005)
Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt. ФТТ 47, 1567 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель