Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Institute of Physics, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Institute of Physics, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: danilov@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Показано, что слои (Ga, Mn)As, сформированные методом имплантации ионов Mn+ в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера с плотностью энергии до 200-300 mJ/cm2, обладают свойствами полупроводника p-типа и ферромагнитными свойствами. Определена пороговая доза имплантированных ионов (~1015 cm-2) для активации акцепторов Mn. С дальнейшим повышением дозы ионов Mn+ увеличивается слоевая концентрация дырок и температура Кюри. Петли гистерезиса в магнитополевых зависимостях эффекта Холла, отрицательное магнетосопротивление, магнитные и структурные исследования свидетельствуют о том, что слои являются аналогами однофазных ферромагнитных соединений (Ga, Mn)As, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Работа поддержана проектами 8.1054.2014/K, 3.285.2014/K и N 3423 госзадания Минобрнауки РФ, грантами РФФИ N 15-02-07824_а, 16-07-01102_а и грантом (МК-8221.2016.2) президента РФ.
- F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials. Ed. K.H.J. Buschow: Elsevier (2002). V. 14. P. 1
- С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая. Изв. вузов. Физика 28, 107 (1985)
- O.D.D. Couto, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, C. Giles, C. Adriano, J.R.R. Bortoleto, M.A.A. Pudenzi, H.R. Gutierrez, I. Danilov. Appl. Phys. Lett. 86, 071906 (2005)
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Наука, М. (1982). 208 с
- S. Zhou. J. Phys. D 48, 263001 (2015)
- P.J. Flanders. J. Phys. D: Appl. Phys. 63, 3940 (1988)
- E. Wendler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 267, 2680 (2009)
- Л.А. Жукова, М.А. Гуревич. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1971). 176 с
- Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, Е.А. Питиримова, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, М. Бехар, М.А.А. Пудензи. Изв. РАН. Сер. физ. 68, 65 (2004)
- J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 268, 1818 (2010)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys. 53, R123 (1982)
- Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с
- K.Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B 72, 085201 (2005)
- Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, M. Behar, M.C. dos Santos, L.G. Pereira, J.E. Schmidt. ФТТ 47, 1567 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
