Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкочастотные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических кристаллах Pb₅Ge₃O₁₁

Буш А.А.¹, Каменцев К.Е.¹, Провоторов М.В.², Трушкова Т.Н.²

¹Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
²Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Россия Mendeleev University of Chemical Technology, Moscow, Russia

Mendeleev University of Chemical Technology, Moscow, Russia

Email: abush@ranet.ru

Поступила в редакцию: 12 января 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты измерений и анализа температурно-частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь, удельного электрического сопротивления сегнетоэлектрических кристаллов Pb₅Ge₃O₁₁ в области 100-600 K и 0.1-100 kHz. Диэлектрические характеристики кристаллов помимо выраженных аномалий в области точки Кюри T_c=450 K проявляют менее выраженные аномалии релаксационного характера в области 230-260 K. На основе полученных данных о влиянии на низкотемпературные аномалии различных факторов (степени поляризации кристаллов, их обжига при разных температурах в различных средах и др.) обсуждаются возможные механизмы их возникновения. Делается заключение, что причиной появления низкотемпературных диэлектрических аномалий являются процессы термолокализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне с образованием локальных поляризованных состояний. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).

H. Iwasaki, K. Sugii, T. Yamada, N. Niizeki. Appl. Phys. Lett. 18, 10, 444 (1971)
S. Nanamatsu, H. Sugiyama, K. Doi, Y. Kondo. J. Phys. Soc. Japan 31, 2, 616 (1971)
H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada, K. Sugii, N. Niizeki. J. Appl. Phys. 43, 12, 4907 (1972)
А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе PbO--GeO₂ и возможные области их применения. НИИТЭХИМ, М. (1981). 70 с
C.R. Jones, N. Show, A.W. Vere. Electronics Lett. 8, 14, 346 (1972)
R. Watton, C. Smith, G.R. Jones. Ferroelectrics 14, 1--4, 719 (1976)
T. Li, S.T. Hsu. Integrated ferroelectrics 34, 1--4, 1495 (2001)
S. Mendricks, X. Yue, R. Pankrath, H. Hesse, D. Kip. Appl. Phys.: Lasers and Optics 68, 5, 887 (1999)
В.В. Демьянов, В.Д. Сальников. ФТТ 16, 12, 3623 (1974)
Е.В. Синяков, Е.Ф. Дудник, В.Г. Моня, В.Г. Савченко, Л.Я. Садовская. Изв. АН СССР. Сер. Физ. 39, 5, 1025 (1975)
L.E. Cross, T.W. Cline. Ferroelectrics 11, 1--4, 333 (1976)
M. Polomska, M. Malinowski, H.H. Otto. Phys. Stat. Sol. 56a, 335 (1979)
A. Mansingh, K.N. Srivastava, B. Singh. J. Appl. Phys. 50, 6, 4319 (1979)
Y. Goto. J. Phys. Soc. Japan 50, 4, 1241 (1981)
J.-H. Kim, J.-B. Kim, K.-S. Lee, B.-C. Choi, J.-N. Kim. Solid State Commun. 86, 4, 257 (1993)
А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Кристаллография 26, 2, 349 (1981)
Т.В. Панченко, М.Д. Волнянский, В.Г. Моня, В.М. Дуда. ФТТ 19, 8, 1238 (1977)
Г. Фрелих. Физика диэлектриков. ИЛ, М. (1960). 251 с
V.V. Daniel. Dielectric Relaxation. Academic Press, London--N.Y. (1967). 269 p
А.А. Буш, Е.А. Попова. ФТТ 46, 5, 875 (2004)
H.J. Reyher, M. Pape, N. Hausfeld. J. Phys.: Condens. Matter. 13, 16, 3767 (2001)
U.T. Hochli, K. Knorr, A. Loidl. Adv. Phys. 39, 5, 405 (1990)
В.Т. Габриэлян, П.В. Ионов, К.А. Михайлива, О.А. Арикалов. Кристаллография 19, 1, 176 (1974)
В.В. Михневич, А.В. Микуленок, А.В. Мясоедов. ФТТ 27, 3, 932 (1985)
Р.Ф. Мамин. Письма в ЖЭТФ 58, 7, 534 (1993)
Р.Ф. Мамин. ФТТ 43, 7, 1262 (2001)
Р.Ф. Мамин. Изв. АН. Сер. Физ. 67, 8, 1157 (2003)
Y.N. Huang, Y.N. Wang, H.M. Shen. Phys. Rev. 46B, 6, 3290 (1992)
В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с
X. Yue, S. Mendricks, Y. Hu, H. Hesse, D. Kip. J. Appl. Phys. 83, 7, 3473 (1998)
X. Yue, S. Mendricks, T. Nikolajsen, H. Hesse, D. Kip, E. Kratzig. J. Appl. Phys. 87, 3, 1186 (1999)
В.Я. Шур, Ю.А. Попов, Н.В. Коровина. ФТТ 26, 3, 781 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель