Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых слой из титаната стронция, толщиной в 750 nm, помещен между двух проводящих пленочных электродов из рутената стронция. Фотолитография и ионное травление использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоско параллельных конденсаторов, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь (tan delta) которых были измерены в интервале температуры T=4.2-300 K, при подаче напряжения смещения до ±2.5 V и без него. При T>100 K температурная зависимость диэлектрической проницаемости (varepsilon) слоя SrTiO₃ хорошо апроксимировалась соотношением Кюри-Вейсса с учетом емкости, индуцированной проникновением электрического поля в оксидные электроды. При T~20 K, varepsilon промежуточного слоя SrTiO₃ уменьшалась примерно на 20% в электрическом поле 25 kV/cm. tan delta пленочных емкостных гетероструктур монотонно уменьшался с температурой в интервале 300-80 K и практически не зависел от напряженности электрического поля. Однако в интервале 80-4.2 K наблюдалось резкое, не монотонное увеличение диэлектрических потерь с понижением температуры и их существенное уменьшение в электрическом поле. Финансовая поддержка для проведения данных исследований была частично получена с проекта РФФИ N 15-02-03996.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.