Издателям
Вышедшие номера
Отклик емкости и диэлектрических потерь пленочной гетероструктуры SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 на изменение температуры и электрическое поле
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых слой из титаната стронция, толщиной в 750 nm, помещен между двух проводящих пленочных электродов из рутената стронция. Фотолитография и ионное травление использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоско параллельных конденсаторов, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь (tan delta) которых были измерены в интервале температуры T=4.2-300 K, при подаче напряжения смещения до ±2.5 V и без него. При T>100 K температурная зависимость диэлектрической проницаемости (varepsilon) слоя SrTiO3 хорошо апроксимировалась соотношением Кюри-Вейсса с учетом емкости, индуцированной проникновением электрического поля в оксидные электроды. При T~20 K, varepsilon промежуточного слоя SrTiO3 уменьшалась примерно на 20% в электрическом поле 25 kV/cm. tan delta пленочных емкостных гетероструктур монотонно уменьшался с температурой в интервале 300-80 K и практически не зависел от напряженности электрического поля. Однако в интервале 80-4.2 K наблюдалось резкое, не монотонное увеличение диэлектрических потерь с понижением температуры и их существенное уменьшение в электрическом поле. Финансовая поддержка для проведения данных исследований была частично получена с проекта РФФИ N 15-02-03996.
  1. B. Nagaraj, T. Sawhney, S. Perusse, S. Agganwal, R. Ramesh, V.S. Kaushik, S. Zafar, R.E. Jones, J.-H. Lee, V. Balu. J. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 3194 (1999)
  2. Yu.A. Boikov, K. Khamchane, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 4392 (2004)
  3. K.A. Muller, H. Burkhard. Phys. Rev. B 19, 3593 (1979)
  4. J.H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, R. Uecker, P. Reiche, Y.L. Li, S. Choudhury, W. Tian, M.E. Hawley, B. Craigo, A.K. Tagantsev, X.Q. Pan, S.K. Streiffer, L.Q. Chen, S.W. Kirchoefer, J. Levy, D.G. Schlom. Lett. Nature 430, 758 (2004)
  5. P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C 16, 6221 (1983)
  6. J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Engin. B 56, 152 (1998)
  7. M. Ziese, H.C. Semmelhack, K.H. Han, S.P. Sena, H.J. Blythe. J. Appl. Phys. 91, 9930 (2002)
  8. J.M. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
  9. J.-P. Maria, H.L. Mc Kinstry, S. Trolier-Mc Kinstry. Appl. Phys. Lett 76, 3382 (2000)
  10. A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 1321 (1996)
  11. H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 265 (1964)
  12. Chen Ang, A.S. Bhalla, Ruyan Guo, L.E. Cross. Appl. Phys. Lett. 76, 1929 (2000)
  13. J. Hemberger, P. Lunkhemer, R. Viana, R. Bohmer, A. Loidl. Phys. Rev. B 52, 13159 (1995)
  14. O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, S.P. Zubko. J. Appl. Phys. 84, 993 (1998)
  15. F.T. Lytle. J. Appl. Phys. 35, 2212 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.