Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция наноразмерного ксерогеля Zn2SiO4 : Mn2+ в порах анодного оксида алюминия
Петровых К.А.1,2, Кортов В.С.2, Гапоненко Н.В.3, Ремпель А.А.2,1, Руденко М.В.3, Хорошко Л.С. 3, Вознесенский С.С.4, Сергеев А.А.4,5, Пустоваров В.А.2
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
5Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
Email: kspetrovyh@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства композита, полученного внедрением наноразмерного люминофора Zn2SiO4 : Mn2+ в пористый анодный оксид алюминия. С помощью растровой электронной микроскопии показано, что частицы Zn2SiO4 : Mn2+ равномерно распределены в 70% объема каналов пор. Образцы обладают интенсивным свечением в области 2.3-3.0 eV, соответствующим излучению F-центров разного типа в оксиде алюминия. После формирования в порах наночастиц Zn2SiO4 : Mn2+ наблюдается появление интенсивной фотолюминесценции в полосе 2.4 eV. Свечение в указанной полосе относится к электронному переходу 4T1-6A1 внутри 3d-оболочки иона-активатора Mn2+. Обнаружен сдвиг в сторону более высоких энергий положения максимума фотолюминесценции наночастиц ксерогеля Zn2SiO4 : Mn2+, локализованных в пористой матрице, а также значительное уменьшение времени затухания свечения. Работа выполнена в рамках государственного задания (3.1016.2014/К) Министерства образования и науки РФ и проекта N 0262-2014-0009 плана НИР и государственного задания на 2015-2017 гг.
  1. S. Shingubara. J. Nanopart. Res. 5, 17 (2003)
  2. А.В. Атращенко, А.А. Красилин, И.С. Кучук, Е.М. Арысланова, С.А. Чивилихин, П.А. Белов. Наносистемы: физика, химия, математика 3, 3, 31 (2012)
  3. Н.В. Гапоненко, В.С. Кортов, Т.И. Ореховская, И.А. Николаенко, В.А. Пустоваров, С.В. Звонарев, А.И. Слесарев, С.Я. Прислопский. ФТП 45, 980 (2011)
  4. N.V. Gaponenko, V.S. Kortov, N.P. Smirnova, T.I. Orekhovskaya, I.A. Nikolaenko, V.A. Pustovarov, S.V. Zvonarev, A.I. Slesarev, O.P. Linnik, M.A. Zhukovskii, V.E. Borisenko. Microelectron. Eng. 90, 131 (2012)
  5. К.А. Петровых, А.А. Ремпель, В.С. Кортов, Е.А. Бунтов. Неорган. материалы 51, 193 (2015)
  6. K.A. Petrovykh, V.S. Kortov, A.A. Rempel. J. Phys.: Conf. Ser. 552, 012 043 (2014)
  7. A. Morell, N.El. Khiati. J. Electrochem. Soc. 140, 2019 (1993)
  8. C. Feldmann, T. Justel, C. R. Ronda, P.J. Schmidt. Adv. Funct. Mater. 13, 511 (2003)
  9. J.-P. Boilot, T. Gacoin, S. Perruchas. Chimie 13, 186 (2010)
  10. В.С. Кортов, И.И. Мильман, С.В. Никифоров, В.Е. Пеленев. ФТТ 45, 1202 (2003)
  11. С.В. Соловьев, И.И. Мильман, А.И. Сюрдо. ФТТ 54, 683 (2012)
  12. K.H. Klaska, J.C. Eck, D. Pohl. Acta Cryst. B 34, 387 (1978)
  13. A.L.N. Stevels, A.T. Vink. J. Lumin. 8, 443 (1974)
  14. M.K. Kretov, I.M. Iskandarova, B.V. Potapkin, A.V. Scherbinin, A.M. Srivastana, N.F. Stepanov. J. Lumin. 132, 2143 (2012)
  15. D.J. Robbins, E.E. Mendes, E.A. Giess, I.F. Chang. J. Electrochem. Soc. 131, 141 (1984)
  16. S.Zh. Karazhanov, P. Ravindran, H. Fjellvag, B.G. Stevenson. J. Appl. Phys. 106, 123 701 (2009)
  17. K.-S. Sohn, B. Cho, H.D. Park. Mater. Lett. 41, 303 (1999)
  18. Y. Hao, Y. Wang. J. Lumin. 122, 1006 (2007)
  19. T.H. Cho, H. J. Chang. Ceram. Int. 29, 611 (2003)
  20. A.A. Lutich, S.V. Gaponenko, N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, V.A. Sokol, V. Parkhutik. Nano Lett. 4, 1755 (2004)
  21. M. Fujita, S. Takahashi, Y. Tanaka, T. Asano, S. Noda. Science 308, 1296 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.