Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция наноразмерного ксерогеля Zn₂SiO₄ : Mn²⁺ в порах анодного оксида алюминия

Петровых К.А.^1,2, Кортов В.С.², Гапоненко Н.В.³, Ремпель А.А.^2,1, Руденко М.В.³, Хорошко Л.С.

³, Вознесенский С.С.⁴, Сергеев А.А.^4,5, Пустоваров В.А.²

¹Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

²Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

³Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

⁴Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

⁵Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russia

Email: kspetrovyh@mail.ru

Поступила в редакцию: 22 декабря 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотолюминесцентные свойства композита, полученного внедрением наноразмерного люминофора Zn₂SiO₄ : Mn²⁺ в пористый анодный оксид алюминия. С помощью растровой электронной микроскопии показано, что частицы Zn₂SiO₄ : Mn²⁺ равномерно распределены в 70% объема каналов пор. Образцы обладают интенсивным свечением в области 2.3-3.0 eV, соответствующим излучению F-центров разного типа в оксиде алюминия. После формирования в порах наночастиц Zn₂SiO₄ : Mn²⁺ наблюдается появление интенсивной фотолюминесценции в полосе 2.4 eV. Свечение в указанной полосе относится к электронному переходу ⁴T₁-⁶A₁ внутри 3d-оболочки иона-активатора Mn²⁺. Обнаружен сдвиг в сторону более высоких энергий положения максимума фотолюминесценции наночастиц ксерогеля Zn₂SiO₄ : Mn²⁺, локализованных в пористой матрице, а также значительное уменьшение времени затухания свечения. Работа выполнена в рамках государственного задания (3.1016.2014/К) Министерства образования и науки РФ и проекта N 0262-2014-0009 плана НИР и государственного задания на 2015-2017 гг.

S. Shingubara. J. Nanopart. Res. 5, 17 (2003)
А.В. Атращенко, А.А. Красилин, И.С. Кучук, Е.М. Арысланова, С.А. Чивилихин, П.А. Белов. Наносистемы: физика, химия, математика 3, 3, 31 (2012)
Н.В. Гапоненко, В.С. Кортов, Т.И. Ореховская, И.А. Николаенко, В.А. Пустоваров, С.В. Звонарев, А.И. Слесарев, С.Я. Прислопский. ФТП 45, 980 (2011)
N.V. Gaponenko, V.S. Kortov, N.P. Smirnova, T.I. Orekhovskaya, I.A. Nikolaenko, V.A. Pustovarov, S.V. Zvonarev, A.I. Slesarev, O.P. Linnik, M.A. Zhukovskii, V.E. Borisenko. Microelectron. Eng. 90, 131 (2012)
К.А. Петровых, А.А. Ремпель, В.С. Кортов, Е.А. Бунтов. Неорган. материалы 51, 193 (2015)
K.A. Petrovykh, V.S. Kortov, A.A. Rempel. J. Phys.: Conf. Ser. 552, 012 043 (2014)
A. Morell, N.El. Khiati. J. Electrochem. Soc. 140, 2019 (1993)
C. Feldmann, T. Justel, C. R. Ronda, P.J. Schmidt. Adv. Funct. Mater. 13, 511 (2003)
J.-P. Boilot, T. Gacoin, S. Perruchas. Chimie 13, 186 (2010)
В.С. Кортов, И.И. Мильман, С.В. Никифоров, В.Е. Пеленев. ФТТ 45, 1202 (2003)
С.В. Соловьев, И.И. Мильман, А.И. Сюрдо. ФТТ 54, 683 (2012)
K.H. Klaska, J.C. Eck, D. Pohl. Acta Cryst. B 34, 387 (1978)
A.L.N. Stevels, A.T. Vink. J. Lumin. 8, 443 (1974)
M.K. Kretov, I.M. Iskandarova, B.V. Potapkin, A.V. Scherbinin, A.M. Srivastana, N.F. Stepanov. J. Lumin. 132, 2143 (2012)
D.J. Robbins, E.E. Mendes, E.A. Giess, I.F. Chang. J. Electrochem. Soc. 131, 141 (1984)
S.Zh. Karazhanov, P. Ravindran, H. Fjellvag, B.G. Stevenson. J. Appl. Phys. 106, 123 701 (2009)
K.-S. Sohn, B. Cho, H.D. Park. Mater. Lett. 41, 303 (1999)
Y. Hao, Y. Wang. J. Lumin. 122, 1006 (2007)
T.H. Cho, H. J. Chang. Ceram. Int. 29, 611 (2003)
A.A. Lutich, S.V. Gaponenko, N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, V.A. Sokol, V. Parkhutik. Nano Lett. 4, 1755 (2004)
M. Fujita, S. Takahashi, Y. Tanaka, T. Asano, S. Noda. Science 308, 1296 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель