Измерены значения работы выхода пленок иттербия нанометровой толщины (от 1 до 16 монослоев). Пленки создавались путем напыления иттербия в сверхвысоком вакууме на кремниевые подложки Si(111)7x7 n- и p-типа проводимости, имеющие удельное сопротивление от 1 до 20 Omega·cm. Показано, что при толщинах пленок, меньших 8 монослоев, работа выхода немонотонно зависит от количества осажденного на поверхность иттербия (осцилляции Фриделя). При толщинах же, превышающих 8 монослоев, работа выхода принимает постоянное значение (3.3 eV), превышающее аналогичное значение для макроскопических образцов (2.6 eV). Указанное различие обусловлено тем, что при формировании границы раздела Yb-Si из-за большой разницы в работах выхода иттербия и кремния (4.63 eV) происходит значительное перетекание электронов из металла в полупроводник. Этот уход электронов из пленок сопровождается снижением 5d-уровня иттербия ниже уровня Ферми. В результате повышается валентность металла, а вместе с нею растет и работа выхода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.