Издателям
Вышедшие номера
Кристаллическая структура, магнитные и микроволновые свойства твердых растворов BaFe12-xGaxO19 (0.1≤ x≤1.2)
Труханов А.В.1,2, Труханов С.В.2, Турченко В.А.3, Олейник В.В.4, Яковенко Е.С.4, Мацуй Л.Ю.4, Вовченко Л.Л.4, Лаунец В.Л.4, Казакевич И.С.2, Джабаров С.Г.5
1Национальный исследовательский технологический университет МИСиС, Москва, Россия
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
4Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
5Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: truhanov@ifttp.bas-net.by, ovv1@univ.kiev.ua, alenka-ya@ukr.net, matzui@univ.kiev.ua, vovch@univ.kiev.ua, VLaunets@bigmir.net, truhanov86@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Методом дифракции рентгеновского излучения исследована кристаллическая структура твердых растворов гексагонального феррита бария M-типа с изоструктурным диамагнитным замещением ионами Ga3+-BaFe1-xGaxO19 (x=0.1-1.2). Рассчитаны параметры элементарной ячейки для всех составов. Методом вибрационной магнитометрии измерены полевые и температурные зависимости удельной намагниченности данных твердых растворов. Исследованы микроволновые свойства BaFe12-xGaxO19 (x=0.1-1.2) в подмагничивающем поле. Показано, что с ростом концентрации Ga от x=0.1 до x=0.6 значение частоты естественного ферромагнитного резонанса уменьшается, а при дальнейшем увеличении концентрации Ga до x=1.2 вновь растет. С увеличением концентрации Ga линии естественного ферромагнитного резонанса уширяются, что указывает на увеличение частотного диапазона, где происходит интенсивное поглощение электромагнитного излучения. При этом амплитуда пика резонансной кривой изменяется незначительно. Значение сдвига частоты естественного ферромагнитного резонанса во внешнем магнитном поле увеличивается с уменьшением концентрации ионов галлия в образце. Работа выполнена при софинансировании Министерства образования и науки РФ по программе повышения конкурентоспособности НИТУ "МИСиС" среди ведущих мировых научно-образовательных центров (N К4-2015-040), и при поддержке грантов БРФФИ (N Ф15Д-003) и ОИЯИ (N 04-4-1121-2015.2017).
  • А.В. Труханов, В.А. Турченко, И.А. Бобриков, С.В. Труханов, А.М. Балагуров. Кристаллография 60, 693 (2015)
  • S.H. Jabarov, A.V. Trukhanov, S.V. Trukhanov, A.I. Mammadov, V.A. Turchenko, R.Z. Mehdiyeva, R.E. Huseynov. Optoelectron. Adv. Mater. --- Rapid Commun. 9, 468 (2015)
  • Y. Tokunaga, Y. Kaneko, D. Okuyama, S. Ishiwata, T. Arima, S. Wakimoto, K. Kakurai, Y. Taguchi, Y. Tokura. Phys. Rev. Lett. 105, 257 201 (2010)
  • A. Trukhanov, L. Panina, S. Trukhanov, V. Turchenko, M. Salem. Chin. Phys. B 25, 016 102 (2016)
  • X. Liu, J. Wang, L.M. Gan, S.C. Ng, J. Ding. J. Magn. Magn. Mater. 184, 344 (1998)
  • Д.В. Гуденаф. Магнетизм и химическая связь. Металлургия, М. (1968). 328 с
  • S. Castro, M. Gayoso, J. Rivas, J.M. Greneche, J. Mira, C. Rodri guez. J. Magn. Magn. Mater. 152, 61 (1996)
  • M.H. Makled, T. Matsui, H. Tsuda, H. Mabuchi, M.K. El-Mansy, K. Morii. J. Mater. Proc. Tech. 160, 229 (2005)
  • J.J. Went. Philips Tech. Rev. 13, 194 (1952)
  • E. Richter, T.J.E. Miller, T.W. Neumann, T.L. Hudson. IEEE Trans. Industry Appl. 21, 644 (1985)
  • Q.A. Pankhurst, R.S. Pollard. J. Phys.: Condens. Mater. 5, 5457 (1993)
  • С.В. Труханов, А.В. Труханов, Л.В. Панина, И.С. Казакевич, В.О. Турченко, В.В. Кочервинский. Письма в ЖЭТФ 103, 106 (2016)
  • A.V. Trukhanov, V.O. Turchenko, I.A. Bobrikov, S.V. Trukhanov, A.I. Balagurov, I.S. Kazakevich. J. Magn. Magn. Mater. 393, 253 (2015)
  • S.B. Narang, I.S. Hudiara. J. Ceram. Proc. Res. 7, 113 (2006)
  • A. Kumar, V. Agarwala, D. Singh. Progr. Electromagn. Res. 29, 223 (2013)
  • V.N. Dhage, M.L. Mane, A.P. Keche, C.T. Birajdar, K.M. Jadhav. Physica B: Condens. Matter 406, 789 (2011)
  • D. Chen, Y. Liu, Y. Li, K. Yang, H. Zhang. J. Magn. Magn. Mater. 337, 65 ((2013)
  • С.В. Труханов, А.В. Труханов, А.Н. Васильев, Г. Шимиак. ЖЭТФ, 138, 2, 236 (2010)
  • В.В. Винников. Основы проектирования РЭС. Электромагнитная совместимость и конструирование экранов. СЗТУ, СПб (2006). 164 с
  • С.В. Труханов, А.В. Труханов, А.Н. Васильев, А.М. Балагуров, H. Szymczak. ЖЭТФ 140, 942 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.