Вышедшие номера
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1,2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Обсуждаются результаты выращивания изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga-In-P-Sb-As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур GazIn1-zPxSbyAs1-x-y/InAs. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов N 16-38-60127, 16-08-01052, а также гранта Президента Российской Федерации МК-5115.2016.8.