Издателям
Вышедшие номера
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1,2
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Обсуждаются результаты выращивания изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga-In-P-Sb-As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур GazIn1-zPxSbyAs1-x-y/InAs. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов N 16-38-60127, 16-08-01052, а также гранта Президента Российской Федерации МК-5115.2016.8.
  1. Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, И. Исмаилов. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. В кн.: Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника (1980). С. 3
  2. C. Ma, M. Dech, L. Tarof, I. Yn. IEEE Trans. Electron Devices B 42, 5, 810 (1995)
  3. В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.В. Кузнецов. Письма в ЖТФ 29, 20, 33 (2003)
  4. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ, Ростов на/Д (1992). 193 с
  5. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП 32, 1, 3 (1998)
  6. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2003). 376 с
  7. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 50, 2, 127 (2014)
  8. Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2008). 212 с
  9. Л.С. Лунин, Сысоев И.А. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2008). 160 с
  10. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 41 (1989)
  11. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 59 (1989)
  12. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 4, 540 (1989)
  13. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 11, 1778 (1989)
  14. В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. Металлургия, М. (1991). 176 с
  15. В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии 85, 12, 1 (2011)
  16. Б.М. Синельников, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 48, 9, 995 (2012)
  17. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1987). 232 с
  18. А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин. Неорган. материалы 44, 8, 903 (2008)
  19. В.И. Буддо, В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, И.Е. Марончук. Микроэлектроника АН СССР 7, 1, 70 (1978)
  20. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования 6, 103 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.