С помощью методов селективного химического травления и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах Ge_1-xSi_x/Ge(111) в диапазоне составов твердого раствора (ТР) 0.01<x<0.35. Обнаружено немонотонное изменение плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, на гетерогранице и в приграничной области подложки по мере увеличения содержания Si в ТР. Различный характер распределения дислокаций по толщине гетероструктур, имеющий специфические особенности в образцах, относящихся к различным областям состава ТР, обусловлен влиянием состава ТР на кинетику релаксации напряжений несоответствия, в частности на интенсивность зарождения и размножения дислокаций несоответствия. Установлено, что в гетероструктурах, выращиваемых методом гидридной эпитаксии при температуре 600^oC, размножение дислокаций несоответствия по модифицированному механизму Франка-Рида проявляется только в области составов 0.03<x<0.20. Полученные результаты объясняются с позиции влияния обогащенных атомами кремния микровыделений, образующихся в результате спинодального распада ТР, на зарождение и распространение дислокаций в эпитаксиальном слое. Предложен механизм генерации дислокаций несоответствия на гетерогенных источниках в эпитаксиальном слое, основанный на зарождении вблизи микровыделений дислокационных петель внедренного типа. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16692).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.