Тонкие пленки частично дейтерированного бетаинфосфата выращены методом испарения на подложках Al₂O₃(110) и NdGaO₃(001) с предварительно нанесенной на них встречно-штыревой системой электродов. Пленки обладают поликристаллической блочной структурой с характерными размерами блоков порядка 0.1-1.5 mm. Степень дейтерирования пленок D составляет 20-50%. В полученных структурах при температуре антисегнетоэлектрического фазового перехода T_c^afe=100-114 K наблюдается аномалия емкости C, которая не сопровождается изменением тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta. Сильносигнальный диэлектрический отклик характеризуется появлением сегнетоэлектрической нелинейности при T>T^afe_c, которая трансформируется в антисегнетоэлектрическую при T<T^afe_c. При дальнейшем понижении температуры в антисегнетоэлектрической фазе появляются двойные петли диэлектрического гистерезиса. Описание диэлектрических свойств пленок проводится в рамках термодинамической модели типа модели Ландау с учетом биквадратичной связи xi P²eta² между полярным P и неполярным eta параметрами порядка с положительным коэффициентом xi. Построена фазовая диаграмма E-T. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (проект N 16-02-00399).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.