Вышедшие номера
Концентрационная зависимость радиационно-стимулированных изменений оптических свойств пленок GexAs40-xS60
Маслюк В.Т.1, Скордева Е.2, Пуга П.П.1, Арсова Д.2, Памукчиева В.2
1Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
2Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
Email: maslyuk@univ.uzhgorod.
Поступила в редакцию: 12 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Представлены результаты исследования концентрационной зависимости радиационно-индуцированных изменений оптических свойств халькогенидных стекол (ХС) системы Ge-As-S. Теоретический расчет учитывает возможные ограничения на область "переключений" гомо-, гетеросвязей структурной сетки ХС. Экспериментальные данные получены при облучении (быстрые электроны, 6 MeV) тонких пленок системы GexAs40-xS60. Обсуждается возможный механизм структурных превращений ХС, ответственный за особенности концентрационной зависимости амплитуды изменения их ширины запрещенной зоны. Работа выполнена в рамках международного Болгаро-Украинского договора о научном сотрудничестве между академическими институтами.
  1. R. Kerner. Physica B 215, 2, 267 (1995)
  2. R. Kerner, M. Micoulaut. J. Phys.: Cond. Matter 9, 12, 2551 (1997)
  3. J.C. Phillips. Phys. Rev. B 54, 10. R6807 (1996)
  4. Ke. Tanaka. Phys. Rev. B 39, 2, 70 (1989)
  5. Р.Л. Мюллер. Природа электропроводности стеклообразных полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1965)
  6. В.Т. Маслюк, Л.И. Дойников, П.П. Пуга. ФХС 29, 5, 627 (2001)
  7. P. Manca. J. Phys. Chem. Solids 20, 3/4, 268 (1961)
  8. Л.Н. Блинов. ФХС 29, 3, 289 (2003)
  9. В.Т. Маслюк, Л.И. Дойников. ДАН Украины. Сер. А. 8, 61 (1986)
  10. D. Arsova. J. Phys. Chem. Solids 57, 9, 1279 (1996)
  11. Л. Полинг. Общая химия. Мир, М. (1974)
  12. T.T. Nang, M. Okuda, T. Matsushita. Phys. Rev. B 19, 2, 947 (1979)
  13. E. Vateva, D. Arsova, E. Skordeva, E. Savova. In: "Electronic, Optoelectronic and Magnetic Thin Films". Johb Wiley\&Sons Ins., Singapore (1994). P. 604
  14. E. Vateva, E. Skordeva. J. Optoelectronics Advanced Materials 4, 1, 3 (2002)
  15. D. Arsova, V. Pamukchieva, E. Vateva, E. Skordeva. J. Mat. Sci. Materials Electronics (2003), in press
  16. Н.Д. Савченко, Н.И. Довгошей, Л.Г. Кеслер. Материалы оптоэлектроники. Изд-во "Техника", Киев (1992). Вып. 1. С. 64
  17. K. Golovchak. Proc. 7th Int. Seminar on Phys. Chem. Solids. Prace Naukowe-Chemia (2001). Vol. 5. P. 199
  18. E. Skordeva, K. Christova, M. Tzolov, Z. Dimitrova. Appl. Phys. A 66, 103 (1998)
  19. T. Velinov, M. Gateshki, D. Arsova, E. Vateva. Phys. Rev. B 55, 17, 1014 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.