Издателям
Вышедшие номера
Гексагональные двумерные слои соединений ANB8-N на полупроводниках
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

С использованием параболической модели электронного спектра подложки и низкоэнергетической аппроксимации закона дисперсии для двумерных гексагональных соединений ANB8-N исследована зависимость плотности состояний эпитаксиального слоя от величины запрещенной зоны субстрата и ширины щели графеноподобного соединения (ГПС) в свободном состоянии, их взаиморасположения и безразмерной константы связи слой-подложка C. Показано, что при превышении константой C определенных критических значений плотность состояний эпитаксиального слоя испытывает качественные изменения. Рассматривались как плоские, так и измятые эпитаксиальные слои. Приведены оценки перераспределения заряда при трансформации плотности состояний ГПС.
  1. H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R.T. Senger, S. Ciraci. Phys. Rev. B 80, 155 453 (2009)
  2. T. Suzuki, Y. Yokomizo. Physica E 40, 2820 (2010)
  3. S. Wang. J. Phys. Soc. Jpn. 79, 064 602 (2010)
  4. H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Appl. Phys. Lett. 101, 153 109 (2012)
  5. G. Mukhopadhyay, H. Behera. World J. Eng. 10, 39 (2013)
  6. H.L. Zhuang, A.K. Singh, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 87, 165 415 (2013)
  7. A.K. Singh, H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 89, 245 431 (2014)
  8. C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A 2, 17 971 (2014)
  9. R.M. Feenstra, D. Jena, G. Gu. J. Appl. Phys. 111, 043 711 (2012)
  10. J. Beheshtian, D.A. Sadeghi, M. Neek-Amal, K.H. Michel, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 86, 195 433 (2012)
  11. M. Neek-Amal, F.M. Peeters. Appl. Phys. Lett. 104, 041 909 (2014)
  12. V. Zoliomi, J.R. Wallbank, V.I. Fal'ko. 2D Materials 1, 011 005 (2014)
  13. A. Hashmi, J. Hong. J. Appl. Phys. 115, 194 304 (2014)
  14. J.E. Padilha, A. Fazzio, A.J.R. da Silva. Phys. Rev. Lett. 114, 066 803 (2015)
  15. G. Gumbs, A. Iurov, D. Huang, W. Pan. J. Appl. Phys. 118, 054 303 (2015)
  16. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 4, 779 (2016)
  17. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Элементарное введение в теорию наносистем. Изд-во "Лань", Спб. (2014). 192 с
  18. С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2013). 235 с. twirpx.com/file/1596114/
  19. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
  20. С.Ю. Давыдов. ЖТФ 84, 1, 155 (2014)
  21. С.Ю. Давыдов. ФТП 48, 49 (2014)
  22. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 382 с
  23. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
  24. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2007). 96 с. twirpx.com/file/1014608/
  25. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). 488 с
  26. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 420 (2013)
  27. И.В. Антонова. ФТП 50, 67 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.