Измерены интегральные интенсивности рентгенодифракционных отражений для серии эпитаксиальных слоев AIII-нитридов (GaN, AlN, AlGaN), выращенных на разных подложках (сапфир, SiC) и имеющих разную степень структурного совершенства. Показано, что, несмотря на большую плотность дислокаций и значительное уширение дифракционных пиков, полученные значения не описываются кинематической теорией дифракции и свидетельствуют о существовании экстинкции. Результаты анализируются на основе моделей экстинкции Дарвина и Захариазена. Путем использования двух порядков отражения как в брэгговской геометрии (0002 и 0004), так и в лауэвской (10=10) и 11=20) определены значения коэффициента вторичной экстинкции и толщина эпитаксиальных слоев. Показано, что вторичная экстинкция тем больше, чем меньше уширение дифракционных пиков и, следовательно, плотность дислокаций. Для слоев с регулярной системой прорастающих дислокаций коэффициент вторичной экстинкции из Лауэ-отражений значительно больше, чем из брэгговских отражений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.