Вышедшие номера
Кондактанс однослойной углеродной нанотрубки в однопараметрической модели сильной связи
Савинский С.С.1, Белослудцев А.В.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Проведено теоретическое исследование вольт-амперных характеристик однослойных нанотрубок в зависимости от их радиуса и хиральности. Показано, что кондактанс однослойной нанотрубки при малых напряжениях может принимать дискретные значения, равные нулю для диэлектрической и 4(e2/h) для проводящей трубки (e - заряд электрона, h - постоянная Планка). На вольт-амперной характеристике нанотрубки имеются изломы, связанные с дискретностью электронного спектра. Исследовано поведение кондактанса нонотрубки при нулевой температуре в квантующем продольном магнитном поле, меняющем тип проводимости трубки. В магнитном поле кондактанс диэлектрической трубки при малом напряжении может принять значение 2(e2/h), когда трубка становится проводящей. Проводящая трубка в слабом магнитном поле становится диэлектрической с шириной запрещенной щели, зависящей от величины магнитного поля. Проведены расчеты кондактанса углеродной нанотрубки в зависимости от температуры и продольного магнитного поля.