Вышедшие номера
Исследование электросопротивления полупроводникового SmS в отсутствие металлической фазы на поверхности
Степанов Н.Н.1, Сидоров В.А.2, Михайлин Н.Ю.1, Шамшур Д.В.1, Каминский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: stnick@hotbox.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Проведено исследование температурных зависимостей электросопротивления монокристаллических образцов моносульфида самария, подвергнутых химической обработке для удаления с их поверхностей металлической фазы, в интервале 1.5/400 K при атмосферном и 0.3 GPa давлениях. Проведен расчет температурных зависимостей энергий активации электронов проводимости при указанных давлениях, а также коэффициента пьезосопротивления всестороннего сжатия. Показано, что известная модель строения спектра примесных уровней в SmS остается ограничено справедливой в температурной области выше 15 K. При более низких температурах необходимо учитывать, как наличие в SmS мелких донорных центров, так и прыжковый характер проводимости по ним. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант N 14-08-00591А.
  1. K. Matsubayashi, H.S. SuzukiS., K. Imura, T. Nishioka, N.K. Sato. Physica B 359- 361, 151 (2005)
  2. K. Imura, K. Matsubayashi, H.S. Suzuki, K. Deguchi, N.K. Sato. Physica B 404, 3028 (2009)
  3. A.B. Голубков, E.B. Гончарова, B.A. Капустин, M.B. Романова, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 3561 (1980)
  4. B.B. Каминский, H.H. Степанов, Л.H. Васильев, B.C. Оскотский, И.A. Смирнов. ФТТ 27, 2162 (1985)
  5. B.B. Каминский, B.A. Сидоров, H.H. Степанов,M.M. Казанин, A.A. Молодых, C.M. Соловьев. ФТТ 55, 257 (2013)
  6. B.B. Каминский, A.B. Голубков, Л.H. Васильев. ФТТ 44, 1501 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.