Исследованы внутренние микроскопические диссипативные явления, имеющие место в кристаллических диэлектриках, в которых главным взаимодействием является связь всех подсистем с термостатом. Показано, что в реальных физических случаях, если учитывается связь не только между взаимодействующими фононными подсистемами диэлектрика, но и с термостатом, процессы переброса для размера образца, меньшего некоторого критического значения L₀, играют довольно слабую роль. Для этого случая доказано, что газ фононов "сверхтечет" по объему без торможения и останавливается лишь благодаря взаимодействию с неподвижными поверхностными фононами термостата. Численными методами установлено, что umklapp-процессы начинают проявляться лишь при высоких температурах T (когда T превышает величину, приблизительно равную Theta_D/4, где Theta_D - температура Дебая) и для размеров образца L, больших L₀, значение которого, согласно приведенным оценкам, должно быть порядка 10 cm.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.