Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La
Одринский А.П.1, Seyidov M.-H. Yu.2,3, Suleymanov R.A.2,3, Мамедов Т.Г.2, Алиева В.Б.2
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.
- J.F. Scott. Mater. Sci. 2013, 187 313 (2013)
- M.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F.A. Mikailzade, E. Kargi n, A. Odrinsky. J. Appl. Phys. 117, 224 104 (2015)
- А.П. Одринский, T.Г. Maмедов, М.-H. Yu. Seyidov, В.Б. Алиева. ФТТ 56, 1554 (2014)
- M.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, A.P. Odrinsky, A.I. Nadjafov, T.G. Mammadov, E.G. Samadli. Jpn. J. Appl. Phys. 50, 05FC08 (2011)
- М.-H. Yu Seyidov, А.П. Одринский, R.A. Suleymanov, E. Acar, T.Г. Maмедов, В.Б. Алиева. ФТТ 56, 1964 (2014)
- М.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева. ФНТ 40, 1062 (2014)
- Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978)
- S. Ozdemir, M. Bucurgat. Current Appl. Phys. 13, 1948 (2013)
- А.П. Одринский, Н.М. Казючиц, Л.Ф. Макаренко. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 4, 102 (2014)
- С.Б. Вахрушев, В.В. Жданов, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Алахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 245 (1984)
- J.C. Balland, J.P. Zielinger, M. Tapiero, J.G. Gross, C.N. Noguet. J. Phys. D 19, 71 (1986)
- А.П. Одринский. ФТП 39, 660 (2005)
- В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. Наука, М. (1979). 284 с
- В.И. Белинчер, Б.И. Стурман. УФН 130, 415 (1980)
- K. Buse. Appl. Phys. B 64, 273 (1997)
- J. Seidel, D. Fu, S.-Y. Yang, E. Alarcon-Llado, J. Wu, R. Ramesh, J.W. Ager. Phys. Rev. Lett. 107, 126 805 (2011)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП 10, 209 (1976)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. ПИЯФ РАН, СПб. (1997). 375 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
