Вышедшие номера
Электрофизические свойства пленок CdxHg1-xTe (x=0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
Варавин В.С.1, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Исследованы электрофизические свойства нелегированных и легированных индием в процессе роста пленок CdxHg1-xTe с x~ 0.3. После выращивания пленки подвергались температурным обработкам в парах ртути. Магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05-1.0 T при 77 K объясняются наличием в пленках двух типов электронов: с высокой и низкой подвижностями. Температурные зависимости времени жизни неосновных носителей в интервале 77-300 K указывают на присутствие в пленках после роста ловушек двух типов, имеющих разное энергетическое положение. Отжиг при насыщенном давлении паров ртути увеличивает время жизни за счет подавления рекомбинационных центров, которые могут быть связаны с ростовыми дефектами в гетероструктурах CdxHg1-xTe/CdTe/Si. Работа выполнена при поддержке гранта Минобрнауки РФ RFMEFI60414X0134.
  1. G. Destefanis, J. Baylet, J. Rothman, J.P. Camonial, A. Million. J. Electron. Mater. 36, 1031 (2007)
  2. G. Destefanis. J. Cryst. Growth 86, 700 (1988)
  3. G. Destefanis, P. Tribolet, M. Vuillermet, D.B. Lanfrey. Proc. SPIE 8012, 801235 (2011)
  4. N. Baier, L. Mollard, O. Gravrand, G. Bourgeois, J.-P. Zanatta, G. Destefanis, P. Pidancier, L. Tauzi\`ede, A. Bardoux. Proc. SPIE 8353 83532N (2012)
  5. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 5806, 1757 (2006)
  6. J.N. Schulman, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett. 34, 10, 663 (1979)
  7. M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science 318, 5851, 766 (2007)
  8. X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B 63, 24, 245 305 (2001)
  9. E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys. 53, 2, 1052 (1982)
  10. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП 42, 6, 664 (2008)
  11. V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993)
  12. H. Kocer, Y. Durna, M. Demir, O.H. Tekbas. Savunma Bilimleri Dergisi 11, 1, 41 (2012)
  13. P. Martyniuk, W. Gawron. Metrol. Meas. Syst. XXI, 4, 675 (2014)
  14. P. Martyniuk, A. Kozniewski, A. Keblowski, W. Gawron, A. Rogalski. Opto-Electron. Rev. 22, 2, 118 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.