Впервые выращен эпитаксиальный слой сульфида кадмия толщиной 300 nm на кремнии. Для этой цели использовался метод испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме. Температура подложки составляла 650^oC, время роста 4 s. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и сульфидом кадмия (константа реакции при данной температуре ~10³), а также для стравливания кремния серой, на поверхности кремния предварительно методом замещения атомов синтезирован высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализ показал высокое структурное совершенство слоя CdS и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.