Вышедшие номера
Воздействие магнитного поля на поляризацию кристаллов LiF при микроиндентировании
Галусташвили М.В.1, Акопов Ф.Х.1, Дриаев Д.Г.1, Квачадзе В.Г.1, Цакадзе С.Д.1
1Институт физики им. Э.Л. Андроникашвили АН Грузии, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 16 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Исследованы процессы поляризации и деполяризации кристалла LiF при индентировании после экспозиции в постоянном магнитном поле (B=0.9 T, t=30 min). Показано, что разность потенциалов, возникающая вследствие перемещения заряженных дислокаций, в экспонированном кристалле возрастает более чем в 2 раза по сравнению с исходным образцом, а последующее зарядовое равновесие в таких образцах устанавливается примерно в 1.5 раза быстрее. Эти обстоятельства свидетельствуют о значительном возрастании концентрации свободных катионных вакансий, обусловленном воздействием магнитного поля. Работа выполнена при финансовой поддержке Национального научного фонда им. Шота Руставели (грант FR/144/6-130/13).