Издателям
Вышедшие номера
Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении
Яфаров Р.К.1, Шаныгин В.Я.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Изложены результаты исследований динамики релаксационной модификации морфологических характеристик атомно-чистых поверхностей кристаллов кремния (100) различных типов проводимости после СВЧ ионно-физического травления в среде аргона. Впервые экспериментально показано и дано физико-химическое обоснование механизма влияния электронных свойств на морфологические характеристики и свободную энергию поверхности кристаллов кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации.
  • К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности. Наука, М. (2006). 490 с
  • В. Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров. ФТП 47, 4, 447 (2013)
  • Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. Мир, М. (1986). Кн. 1. 404 с
  • Р.К. Яфаров, С.А. Климова. Микроэлектроника 43, 3, 305 (2014)
  • Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. Физматлит, М. (2009). 216 с
  • С.И. Матюхин, К.Ю. Фроленков. Конденсированные среды и межфазные границы 5, 2, 216 (2003)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП 32, 4, 385 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.