Вышедшие номера
Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур
Компан М.Е.1, Кузнецов В.П.2, Розанов В.В.3, Якубович А.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ОАО "НИИ Гириконд", Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Лицей Физико-техническая школа при Физико-техническом институте Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Обнаружен эффект изменения размеров ионисторной конденсаторной структуры при процессах накопления-рассасывания на ней электрического заряда. Особенностью данного эффекта, отличающего его от других известных эффектов изменения размеров под действием электрических и магнитных полей (пьезоэффекта и стрикций), является полный гистерезис, т. е. сохранение размера, достигнутого при воздействии, после снятия этого воздействия.
  1. A. Achuthan, A.K. Keng, W.C. Ming. Smart Materials and Structures 10, 5, 914 (2001)
  2. Ю.Я. Гуревич, Ю.И. Харкац. Суперионные проводники. Наука, М. (1982). 316 с
  3. Ю.М. Гербштейн, В.П. Кузнецов, С.Е. Никитин. ФТТ 27, 12, 2996 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.