Вышедшие номера
Влияние расслоения фаз на электро- и магнетотранспорт в гетероэпитаксиальных пленках La2/3Ca1/3MnO3
Бойков Ю.А.1, Волков М.П.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследованы пленки La2/3Ca1/3MnO3 толщиной 25 nm, двухосно сжатые в плоскости подложки, выращенные квазикогерентно на поверхности (001) монокристалла LaAlO3 c использованием лазерного испарения. Установлено, что механические напряжения, действовавшие в процессе зародышеобразования и роста, способствовали обогащению катионной подрешетки манганитного слоя кальцием, что обусловило уменьшение объема его элементарной ячейки. Кристаллические зерна в манганитных пленках были отчетливо ориентированы относительно нормали к плоскости подложки, размер зерен в плоскости подложки находился в пределах 20--40 nm, а их относительная разориентаци в плоскости подложки не превышала 0.2o. В нулевом магнитном поле максимум на температурной зависимости электросопротивления rho пленок La2/3Ca1/3MnO3 наблюдался при температурах, близких к 210 K. При T<100 K и mu0 H=2 Т магнетосопротивление манганитных пленок было отрицательным, слабо зависело от температуры и имело значения порядка -0.45. Магнитное поле вызвало трансформацию включений неферромагнитной фазы, в ферромагнитные, что приводило к уменьшению электросопротивления пленок La2/3Ca1/3MnO3 при увеличении магнитного поля. При низких температурах (T<100 K) на зависимостях электросопротивления пленок от магнитного поля наблюдался гистерезис. Финансовая поддержка исследований частично получена в рамках проекта РФФИ N 15-02-03996.
  1. M. Pannetier, С. Fermon, G.Le Goff, О. Simola,Т. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  2. Y. Tokura. In: Colossal magnetoresistive oxides / Ed. Y Tokura. Gordon and Breach, Amsterdam (2000). P. 3
  3. E.O. Wollan, W.C. Koehler. Phys. Rev. 100, 545 (1955)
  4. J.B. Goodenough. Phys. Rev. 100, 564 (1955)
  5. Yu. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  6. J. Krupka, R.G. Geyer, M. Kuhn, J.H. Hinken. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 42, 1886 (1994)
  7. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  8. C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 4032 (2000)
  9. R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience, N. Y. (1964). V. 2. P. 394
  10. C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  11. B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 1979 (1998)
  12. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. Письма в ЖТФ 31, 1, 173 (2005)
  13. Qi Li, H.S. Wang, Y.F. Hu, E. Wertz. J. Appl. Phys. 87, 5573 (2000)
  14. E.D. Dahlberg, K. Riggs. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.