Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT) и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO₂/SiO₂/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970-1070 K в атмосфере O₂. Результаты рентгеновской дифракции показали, что в отличие от пленок SBT, у которых формирование фазы Ауривиллиуса наблюдается только при температуре отжига 1050-1070 K, в пленках SBTN формирование фазы отмечено уже при температуре 970 K. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации, коэрцитивной силы пленок SBT и SBTN от режимов последующего отжига. Обнаружено, что легирование ниобием пленок SBT позволяет практически в 3 раза увеличить остаточную поляризацию, примерно на 50 K увеличить температуру Кюри и повысить диэлектрическую проницаемость. В отличие от пленок SBT в случае пленок SBTN поляризация наблюдается уже при температуре отжига порядка 970 K. Замена пленок SBT на SBTN при изготовлении конденсаторных модулей высокоплотной сегнетоэлектрической энергонезависимой помяти с произвольным доступом (FeRAM) позволяет понизить температуру синтеза с 1070 до 990-1000 K, что повышает совместимость с планарной технологией полупроводниковых приборов. Однако увеличение коэрцитивного поля делает легированные ниобием пленки SBT менее привлекательными для применения в FeRAM.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.