Вышедшие номера
Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния
Грудинкин C.А.1,2, Голубев В.Г.1, Осипов А.В.2,3, Феоктистов Н.А.1,3, Кукушкин С.А.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Представлены результаты исследования методом инфракрасной (ИК) спектроскопии эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращенных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния. В ИК-спектрах наблюдается полоса при 798 cm-1, соответствующая ТО-фонону в решетке карбида кремния. Определены параметры разупорядоченного карбида кремния, находящегося на поверхности пор между эпитаксиальным карбидом кремния и подложкой кремния. В ИК-спектрах карбида кремния обнаружена полоса в области 960 cm-1. Предложена гипотеза, согласно которой данная полоса соответствует энергии предсказанного ранее теоретически упругого диполя - упруго взаимодействующих атома углерода в межузельной позиции и кремниевой вакансии. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).