Вышедшие номера
Структура и электронный транспорт эпитаксиальных пленок иридата стронция
Кислинский Ю.В.1,2, Овсянников Г.А.1,3, Петржик А.М.1, Константинян К.И.1, Андреев Н.В.4, Свиридова Т.А.4
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
3Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: karen@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследованы кристаллографические и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок SrIrO3, в которых наблюдается деформация кристаллической решетки из-за различия в параметрах решетки иридата стронция и подложки. Использовались подложки (001) SrTiO3, (001) LaAlO3 + Sr2AlTaO6 (LSAT), (110) NdGaO3 и (001) LaAlO3. В результате деформации кристаллической решетки величины удельного сопротивления пленок, напыленных на подложки с разными параметрами решетки, различались в несколько раз. Пленки SrIrO3 толщиной d=90 nm, выращенные на подложках SrTiO3 и LSAT, имели немонотонную зависимость проводимости от температуры: тип температурной зависимости проводимости менялся с металлического на диэлектрический при TL=200-250 K. При уменьшении толщин до величин менее 20 nm сопротивления пленок на всех типах подложек уменьшались с ростом температуры экспоненциально. Работа выполнена при поддержке Российской академии наук, проектов РФФИ N 14-07-93105 и 14-07-00258, гранта научная школа НШ-4871.2014.2 с привлечением оборудования Шведского национального центра для микро- и нанотехнологий (Myfab).
  1. S. Moon, H. Jin, K. Kim, W. Choi, Y. Lee, J. Yu, G. Cao, A. Sumi, H. Funakubo, C. Bernhard, T. Noh. Phys. Rev. Lett. 101, 226 402 (2008)
  2. B. Kim, H. Jin, S. Moon, J.Y. Kim, B.G. Park, C. Leem, J. Yu, T. Noh, C. Kim, S.J. Oh, J.H. Park, V. Durairaj, G. Cao, E. Rotenberg. Phys. Rev. Lett. 101, 076 402 (2008)
  3. A.S. Erickson, S. Misra, G.J. Miller, R.R. Gupta, Z. Schlesinger, W.A. Harrison, J.M. Kim, I.R. Fisher. Phys. Rev. Lett. 99, 016 404 (2007)
  4. J.-M. Carter, V.V. Shankar, M.A. Zeb, H.-Y. Kee. Phys. Rev. B 85, 115 105 (2012)
  5. H. Watanabe, T. Shirakawa, S. Yunoki. Phys. Rev. Lett. 105, 216 410 (2010)
  6. A. Shitade, H. Katsura, J. Kunes, X.L. Qi, S.C. Zhang, N. Nagaosa. Phys. Rev. Lett. 102, 256 403 (2009)
  7. X. Wan, A.M. Turner, A. Vishwanath, S.Y. Savrasov. Phys. Rev. B 83, 205 101 (2011)
  8. J.M. Longo, J.A. Kafalas, R.J. Arnott. J. Solidi State Chem. 3, 174 (1971)
  9. F.X. Wu, J. Zhou, L.Y. Zhang, Y.B. Chen, S.T. Zhang, Z.B. Gu, S.H. Yao, Y.F. Chen. J. Phys.: Condens. Matter 25, 125 604 (2013)
  10. J.H. Gruenewald, J. Nichols, J. Terzic, G. Cao, J.W. Brill, S.S.A. Seo. J. Mater. Res. 29, 2491 (2014)
  11. Y.K. Kim, A. Sumi, K. Takahashi, S. Yokoyama, S. Ito, T. Watanabe, K. Akiyama, S. Kaneko, K. Saito, H. Funakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 45, L36, (2006)
  12. C. Rayan Serrao, J. Liu, J.T. Heron, G. Singh-Bhalla, A. Yadav, S.J. Suresha, R.J. Paull, D. Yi, J.H. Chu, M. Trassin, A. Vishwanath, E. Arenholz, C. Frontera, J. v Zelezny, T. Jungwirth, X. Marti, R. Ramesh. Phys. Rev. B 87, 085 121 (2013)
  13. J. Nichols, J. Terzic, E.G. Bittle, O.B. Korneta, L.E. De Long, J.W. Brill, G. Cao, S.S.A. Seo. Appl. Phys. Lett. 102, 141 908 (2013)
  14. J.G. Zhao, L.X. Yang, Y. Yu, F.Y. Li, R.C. Yu, Z. Fang, L.C. Chen, C.Q. Jina. J. Appl. Phys. 103, 103 706 (2008)
  15. G. Cao, V. Durairaj, S. Chikara, L.E. DeLong, S. Parkin, P. Schlottmann. Phys. Rev. B 76, 100 402(R) (2007)
  16. S.Y. Jang, S.J. Moon, B.C. Jeon, J.S. Chung. J. Korean Phys. Soc. 56, 1814 (2010)
  17. A. Biswas, K.-S. Kim, Y.H. Jeong. J. Appl. Phys. 116, 213 704 (2014)
  18. L. Zhang, Q. Liang, Y. Xiong, B. Zhang, L. Gao, H. Li, Y.B. Chen, J. Zhou, S.-T. Zhang, Z.-B. Gu, S.-H. Yao, Z. Wang, Y. Lin, Y.-F. Chen. Phys. Rev. B 91, 035 110 (2015)
  19. N.E. Hussey, K. Takenaka, H. Takagi. Phil. Mag. 84, 2847 (2004)
  20. M. Gurvitch. Phys. Rev. B 24, 7404 (1981)
  21. P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985)
  22. G.R. Stewart. Rev. Mod. Phys. 73, 797 ( 2001)
  23. Y.S. Lee, J.S. Lee, K.W. Kim, T.W. Noh, J. Yu, E.J. Choi, G. Cao, J.E. Crow. Europhys. Lett. 55, 280 (2001)
  24. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer-Verlag, Berlin (1984). 388 p
  25. M.L. Knotek, M. Pollak, T.M. Donovan. Phys. Rev. Lett. 18, 853 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.