Вышедшие номера
Блочность и остаточные напряжения в трубчатых монокристаллах сапфира, выращенных способом Степанова
Крымов В.М.1, Носов Ю.Г.1, Бахолдин С.И.1, Маслов В.Н.1, Шульпина И.Л.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.krymov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследовано образование блочности и остаточных напряжений в сапфировых монокристаллических трубках, выращенных из расплава способом Степанова. Методом коноскопии измерено распределение разности компонент тензора остаточных напряжений (sigmavarphi-sigmar) в толстостенной трубке сапфира ориентации [0001]. Показано что на внешней поверхности трубки действуют окружные растягивающие напряжения sigmavarphi, а на внутренней - сжимающие. Максимальная величина напряжений составляет около 20 МPа. Показано, что развитие блочной структуры начинается c внешней поверхности трубки и в процессе роста по мере увеличения длины кристалла блоки распространяются на все поперечное сечение.
  1. Е.Р. Добровинская, Л.А. Литвинов, В.В. Пищик. Энциклопедия сапфира. Институт монокристаллов, Харьков (2004). 508 с
  2. В.Б. Браиловский, С.В. Гавриш, А.Е. Рыжков. Контроль. Диагностика 2, 49 (2007)
  3. И.А. Шикунова, В.В. Волков, В.Н. Курлов, В.Б. Лощенов. Изв. РАН. Сер. физ. 73, 10, 1424 (2009)
  4. В.Н. Курлов, С.Н. Россоленко. Наука --- производству. Профилированные кристаллы сапфира. 2, 16 (2005)
  5. В.А. Бородин. Новые технологии выращивания сапфировых изделий из расплава. Автореф. докт. дис. ИФТТ, М. (1991)
  6. С.В. Гавриш. Технология приборостроения 6, 56 (2008)
  7. В.Л. Инденбом, Г.Е. Томиловский. Кристаллография 3, 5, 593 (1958)
  8. И.Л. Шульпина, П.И. Антонов С.И. Бахолдин, В.М. Крымов. В сб.: Физика кристаллизации. Физматгиз, M. (2002). 398 с
  9. С.И. Бахолдин, В.М. Крымов, Ю.Г. Носов,И.Л. Шульпина, А.В. Денисов, М.И. Саллум, М.Г. Васильев, В.М. Мамедов, В.С. Юферев. Кристаллография 55, 4, 726 (2010)
  10. И.В. Алябьев, В.А. Малюков, В.С. Папков, В.Ф. Перов. В сб.: Материалы Всесоюз. совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 113
  11. В.Б. Браиловский, А.В. Рыжков, Т.В. Макарова. В сб.: Материалы Всесоюз. совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 116
  12. В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.Н. Маслов, Э.А. Тропп. ФТТ 57, 4, 727 (2015)
  13. П.И. Антонов, В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, И.Л. Шульпина. Изв. РАН, Сер. физ. 68, 6, 777 (2004)
  14. С.И. Бахолдин, И.Ю. Вандакуров, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. В сб.: Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 179
  15. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, CПб. (2011). C. 19
  16. В.Л. Инденбом, В.И. Никитенко. В сб.: Напряжения и дислокации в полупроводниках. М. (1962). C. 29
  17. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, Э.А. Тропп. ЖТФ 84, 8, 1 (2014)
  18. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. Изв. РАН. Сер. физ. 63, 9, 1816 (1999)
  19. В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, С.И. Бахолдин, В.Н. Маслов, И.Л. Шульпина. Кристаллография 60, 3, 423, (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.