Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои Cd_xHg_1-xTe (КРТ) на подожках GaAs и Si ориентации (013). Введение промежуточных слоев ZnTe и CdTe позволило сохранить в эпитаксиальных слоях КРТ ориентацию, близкую к ориентации подложки, несмотря на сильное рассогласование параметров решеток. Структуры исследованы методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Установлены дислокационные семейства, преимущественно снимающие несоответствие параметров решеток. С помощью электронной микроскопии зарегистрированы Gamma-образные дислокации несоответствия (ДН), для которых облегчена аннигиляция пронизывающих дислокаций. Измерены углы разворота решеток, вызванные формированием сеток дислокаций несоответствия. Показано, что плотность пронизывающих дислокаций в активной области фотодиодов определяется в основном сеткой дислокаций несоответствия, формирующейся на гетерогранице КРТ/CdTe. Снижение плотности пронизывающих дислокаций в пленке КРТ достигается при циклическом отжиге в условиях, когда максимально облегчается неконсервативное движение дислокаций. Плотность определялась по ямкам травления. Исследование выполнено в рамках проекта N 01201353182 программы ФНИ государственных академий наук и при поддержке гранта Минобрнауки РФ RFMEFI60414X0134.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.