Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкоомные и высокоомные состояния в пленках титаната стронция, сформированных золь-гель-методом
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
3ОАО "Интеграл", Минск, Белоруссия
4НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
3ОАО "Интеграл", Минск, Белоруссия
4НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
Email: nik@nano.bsuir.edu.by
Поступила в редакцию: 30 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Продемонстрировано изменение сопротивления в структурах на основе титаната стронция, сформированных золь-гель-методом. Переход из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется при достижении напряжения смещения на конденсаторной структуре кремний/диоксид титана/платина/титанат стронция/никель около 10 V для пленки титаната стронция толщиной около 300 nm. Электрическое сопротивление изменяется от единиц Omega до десятков kOmega. Для более толстой пленки (~400 nm) напряжение переключения возрастает, тогда как сопротивление структуры в высокоомном состоянии достигает сотен kOmega. Предположительно основную роль в изменении сопротивления играют глубокие уровни, заселенность которых изменяется приложенным напряжением. Обсуждаются перспективы использования полученных пленок титаната стронция в мемристорных элементах памяти.
- P.Kr. Petrova, N.McN. Alford. Appl. Phys. Lett., 87, 222 902 (2005)
- K. Bouzehouane, P. Woodall, B. Marcilhac, A.N. Khodan, D. Crete, E. Jacquet, J.C. Mage, J.P. Contour. Appl. Phys. Lett., 80, 109 (2002)
- D. Choi, D. Lee, H. Sim, M. Chang, H. Hwang. Appl. Phys. Lett. 88, 082 904 (2006)
- M.C. Ni, S.M. Guo, H.F. Tian, Y.G. Zhao, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett. 91, 183 502 (2007)
- E. Bellingeri, L. Pellegrino, D. Marre, I. Pallecchi, A.S. Siri. J. Appl. Phys. 94, 5976 (2003)
- M.H. Tang, Z.P. Wang, J.C. Li, Z.Q. Zeng, X.L. Xu, G.Y. Wang, L.B. Zhang, Y.G. Xiao, S.B. Yang, B. Jiang, J. He. Semicond. Sci. Technol. 26, 075 019 (2011)
- Х. Сохраби Анараки, Н.В. Гапоненко, М.В. Руденко, А.Ф. Гук, С.М. Завадский, Д.А. Голосов, Б.С. Колосницын, В.В. Колос, А.Н. Петлицкий, А.С. Турцевич. ФТП 48, 1724 (2014)
- S. Hirose, A. Nakayama, H. Niimi, K. Kageyama, H. Takagi. J. Appl. Phys. 104, 053 712 (2008)
- T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, H. Akoh, Y. Kawazoe, Y. Tokura. Appl. Phys. Lett. 86, 012 107 (2005)
- T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, Y. Kawazoe, H. Akoh, Y. Tokura. Phys. Rev. B 75, 165 101 (2007)
- A. Shkabko, M.H. Aguirre, I. Marozau, T. Lippert, A. Weidenkaff. Appl. Phys. Lett. 95, 152 109 (2009)
- D. Fernandez-Hevia, J. de Frutos, A.C. Caballero, J.F. Fernandez. J. Appl. Phys. 92, 2890 (2002)
- E. Canessa, V.L. Nguyen. Physica B 179, 335 (1992)
- K. Yang, T. Chen, N. Ho, H. Lu. J. Am. Ceram. Soc. 94, 1811 (2011)
- T. Baiatu, R. Waser, K. Hardtl. J. Am. Ceram. Soc. 73, 1663 (1990)
- M.C. Tarun, F.A. Selim, M.D. McCluskey. Phys. Rev. Lett. 111, 187 403 (2013)
- T. Feng. Phys. Rev. B 25, 627 (1982)
- D. Kan, T. Terashima, R. Kanda, A. Masuno, K. Tanaka, S. Chu, H. Kan, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu, Y. Shimakawa, M. Takano. Nature Mater. 4, 816 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
