Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электролюминесценция в слоях SiO2 в различных структурах
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
Email: laramil@rabler.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Методом электролюминесценции (ЭЛ) в системе электролит-диэлектрик-полупроводник исследовались окисные слои структур Si-SiO2-Si3N4 и Si-SiO2, полученных различными способами. Спектры ЭЛ всех структур содержали полосу излучения 2.7 eV, характерную для излучательной релаксации возбужденных силиленовых центров. Проведено сравнительное исследование условий возникновения таких центров свечения в различных структурах, содержащих слои SiO2, и уточнена их природа. Работа поддержана КЦФЕ МО РФ (грант N PD02-1.2-356).
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 304 с
- А.П. Барабан, П.П. Коноров, А.А. Кручинин, Ю.А. Тарантов. Электрохимия 20, 4, 539 (1984)
- А.П. Барабан, И.В. Климов, Н.И. Теношвили, Э.Д. Усеинов, В.В. Булавинов. Письма в ЖТФ 15, 17, 44 (1989)
- А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова. ЖТФ 72, 5, 56 (2002)
- А.П. Барабан, Д.В. Егоров, А.Ю. Аскинази, Л.В. Милоглядова. Письма в ЖТФ 28, 23, 14 (2002)
- А.П. Барабан, П.П. Коноров, Л.В. Малявка, А.Г. Трошихин. ЖТФ 70, 8, 87 (2000)
- P. Solomon, N. Klein. J. Appl. Phys. 47, 3, 1023 (1976)
- D.J.Di Maria, J.R. Kirtley, E.J. Pakulis. J. Appl. Phys. 56, 2, 401 (1984)
- T.N. Theis, J.R. Kirtley, D.J.Di Maria. Phys. Rev. Lett. 50, 10, 750 (1983)
- A.J. Pepe, W. Chen, M. Oyler. J. Electrochem. Soc. 140, 4, 1090 (1993)
- A. Gee. J. Electrochem. Soc. 107, 9, 787 (1960)
- С.П. Маминова, Л.Л. Одынец. Электрохимия 1, 3, 365 (1965)
- Л.Н. Скуя, А.Н. Стрелецкий, А.Б. Пакович. ФХС 14, 481 (1988)
- A.P. Baraban, E.A. Semykina, M.B. Vaniouchov. Semicond. Sci. Technol. 15, 546 (2000)
- A.P. Baraban, E.A. Semykina, M.B. Vaniouchov. Phys. Low.-Dim. Struct. 3/4, 27 (2000)
- V.V. Afanas'ev, A. Stesmans, A.G. Revesz. J. Appl. Phys. 82, 5, 2184 (1997)
- B. Garido, J. Samitier, S. Bota. J. Non-Crist. Sol. 187, 101 (1995)
- Е.А. Семыкина, Т.Е. Никулина. Тез. докл. Междунар. конф. "Диэлектрики-97". СПб (1997). Ч. 2. С. 70
- А.П. Барабан, И.В. Климов, П.П. Коноров. Вестн. ЛГУ (Сер. 4) 4, 25, 71 (1988)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, Новосибирск (1993). 280 с
- D.J.Di Maria, Y.R. Abernathey. J. Appl. Phys. 60, 5, 1727 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
