Представлены результаты электронно-микроскопического исследования образцов GaN/AlGaN/AlN/ SiC/Si(111), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Буферный слой эпитаксиального SiC нанометровой толщины получен новым методом замещения атомов на Si (111). Обнаружена сильная зависимость плотности дислокаций и V-дефектов от условий синтеза SiC и толщины слоя AlN. Экспериментально доказано, что создание низкотемпературной вставки AlN с одновременным уменьшением толщины слоя AlN до значений, не превышающих 50 nm, позволяет практически полностью исключить образование V-дефектов в слое GaN. Плотность винтовых и смешанных дислокаций в слое GaN в исследуемых образцах находилась на уровне 5·10⁹-1·10¹⁰ cm^-2. Развита теоретическая модель образования V-дефектов при росте GaN. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.