Вышедшие номера
Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Рожавская М.М.1,3, Мясоедов А.В.3, Трошков С.И.3, Лундин В.В.3,4, Сорокин Л.М.3, Цацульников А.Ф.1,3,4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Представлены результаты электронно-микроскопического исследования образцов GaN/AlGaN/AlN/ SiC/Si(111), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Буферный слой эпитаксиального SiC нанометровой толщины получен новым методом замещения атомов на Si (111). Обнаружена сильная зависимость плотности дислокаций и V-дефектов от условий синтеза SiC и толщины слоя AlN. Экспериментально доказано, что создание низкотемпературной вставки AlN с одновременным уменьшением толщины слоя AlN до значений, не превышающих 50 nm, позволяет практически полностью исключить образование V-дефектов в слое GaN. Плотность винтовых и смешанных дислокаций в слое GaN в исследуемых образцах находилась на уровне 5·109-1·1010 cm-2. Развита теоретическая модель образования V-дефектов при росте GaN. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
  1. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313 001 (2014)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  3. Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, В.Н. Бессолов, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин, Н.В. Веселов. Письма в ЖТФ 37, 7, 72 (2011)
  4. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 36, 11, 17 (2010)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников, С.И. Трошков, Н.А. Феоктистов. Письма в ЖТФ 38, 6, 90 (2012)
  6. P. Gibart. Rep. Prog. Phys. 67, 667 (2004)
  7. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, A.V. Zubkova, A.V. Osipov, T.A. Orlova, S.N. Rodin, S.A. Kukushkin. Mater. Phys. Mech. 21, 3, 266 (2014)
  8. К. Сангвал. Травление кристаллов (теория, эксперимент, применение). Мир, М. (1990). 496 с
  9. R. Zuo, H. Yu, N. Xu, X. He. ECS J. Solid State Sci. Technol. 1, 1, P 46 (2012)
  10. A. Hirakoa, M. Yoshitania, M. Nishibayashia, Y. Nishikawab, K. Ohkawa. J. Cryst. Growth 931, 237 (2002)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  12. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. Наука, М. (1980). 411 с
  13. А. Келли, Г. Гровс. Кристаллография и дефекты в кристаллах. Мир, М. (1974). 496 с
  14. М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько. ФТТ 42, 1948 (2002)
  15. М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько. Физическая механика деформируемых наноструктур. Т. II. Янус, СПб (2005). 352 с
  16. В.И. Владимиров, А.Е. Романов. Дисклинации в кристаллах. Наука, Л. (1986). 224 с
  17. Г.А. Малыгин. ФТТ 37, 2281 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.