Вышедшие номера
Электронная структура поверхности CdTe(111)A-(2x2)
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: smzubkova@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Опираясь на данные сканирующей туннельной микроскопии, впервые проведены ab initio расчеты электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe(111)A-(2x2), заканчивающейся Cd: идеальной, релаксированной, реконструированной с вакансией иона Cd и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировалась пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Te на противоположной стороне пленки добавлялись 4 фиктивных атома водорода с зарядом 0.5 электрона каждый. Ab initio расчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. В каждом из вариантов определены равновесные координаты 16 (15) атомов Cd и Te верхних "отпущенных" четырех слоев. Показано, что релаксация приводит к расщеплению слоев как в случае нереконструированной, так и реконструированной поверхностей. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полые и послойные плотности электронных состояний. Перемена местами двух верхних атомных слоев 11 и 12 после релаксаций реконструированной поверхности является возможной причиной особенностей поверхностной структуры в этих слоях.
  1. Э. Зенгуил. Физика поверхности. Мир, М. (1990). С. 69
  2. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности. Наука, М. (2006). С. 67
  3. C.K. Egan, Q.Z. Jiang, A.W. Brinkman. J. Vac. Sci. Technol. A 29, 1, 011021 (2011)
  4. G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces. Chapter 8. Singapore, New Jersey. London, Hong Kong, World Scientific (1999). P. 201
  5. Jin Li, J. Gayles, N. Kioussis, Z. Zhang, С. Grein, F. Aqariden. J. Electron. Mater. 41, 10, 2745 (2012)
  6. С.М. Зубкова, Л.Н. Русина. Докл. НАНУ 1, 72 (2014)
  7. L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Cond. Matter 21, 9, 095001 (2009)
  8. A. Ohtake, J. Nakamura, T. Komura, T. Hanada, T. Yao, Y. Kuramochi, M. Ozeki. Phys. Rev. B 64, 4, 045318 (2001)
  9. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Письма в ЖЭТФ 89, 4, 209 (2009)
  10. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Cond. Matter 21 39, 395502 (2009)
  11. S. de Lazaro, E. Longo, J.R. Sambrano, A. Beltran. Surf. Sci. 552, 1--3, 149 (2004)
  12. S. Piskunov, E. Heifets, R.I. Eglitis, G. Borstel. Comput. Mater Sci. 29, 2, 165 (2004)
  13. J. Muscat, F. Wander, N.M. Harrison. Chem. Phys. Lett. 342, 3--4, 397 (2001)
  14. E. Heifets, R.I. Eglitis, E.A. Kotomin, J. Maier, G. Borstel. Surf. Sci. 513, 1, 211 (2002)
  15. K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 10, 3455 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.