Вышедшие номера
Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена
Крылов П.С.1,2, Берестенников А.С.1,2, Алешин А.Н.1, Комолов А.С.3, Щербаков И.П.1, Петров В.Н.1, Трапезникова И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследованы эффекты переключения в композитных пленках на основе полифункциональных полимеров - производных карбазола (PVK) и флуорена (PFD), а также частиц графена (Gr) и оксида графена (GO). Концентрация частиц Gr и GO в матрице PVK(PFD) варьировалась в пределах 2-3 wt.%, что соответствует порогу перколяции в таких системах. Проведены исследования атомного состава композитных пленок PVK : GO с помощью рентгеновкой фотоэлектронной спектроскопии. Установлено, что эффект переключения в структурах вида Al/PVК(PFD):GO(Gr)/ITO/PET проявляется в резком изменении сопротивления композитной пленки из низкопроводящего в относительно высокопроводящее состояние при подаче смещения на Al-ITO-электроды ~0.1-0.3 V (E~3-5·104 V/cm), что ниже пороговых напряжений переключения для других подобных композитов. Обсуждается механизм переключения сопротивления, который ассоциируется с процессами захвата и накопления носителей заряда частицами Gr (GO) помещенными в матрицу как высокомолекулярного (PVК), так и относительно низкомолекулярного (PFD) полимера. Работа выполнена при частичной поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН П-8, а также гранта СПбГУ 11.38.219.2014. П.С. Крылов, А.С. Берестенников выражают благодарность за частичную поддержку грантом НШ-347.2014.2. В работе использовалось оборудование ресурсного центра СПбГУ "Физические методы исследования поверхности".