Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек при непрямом возбуждении в диэлектрической матрице SiO2
Зацепин А.Ф.1, Бирюков Д.Ю.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: a.f.zatsepin@urfu.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Рассмотрены процессы возбуждения-релаксации размерно-ограниченных экситонов в полупроводниковых квантовых точках при непрямом высокоэнергетическом возбуждении. Для описания температурного поведения фотолюминесценции квантовых точек в диэлектрической матрице SiO2 использована модель, учитывающая процесс заселения триплетных состояний квантовых точек при переносе возбуждения подвижными экситонами матрицы. Получены аналитические выражения, учитывающие двухстадийную и трехстадийную схемы релаксационных переходов. Применимость уравнений для анализа люминесцентных свойств полупроводниковых квантовых точек продемонстрирована на примере наночастиц кремния и углерода в тонкопленочной матрице SiO2. Показано, что сложный характер температурных зависимостей при непрямом возбуждении люминесценции может служить признаком многоэтапного процесса релаксации с участием возбужденных состояний матрицы и квантовой точки. Развитые в настоящей работе модельные представления позволяют прогнозировать вид температурных зависимостей фотолюминесценции для различных схем непрямого возбуждения квантовых точек. Результаты работы были получены в рамках выполнения государственного задания Министерства науки и образования РФ (N 3.2016.2014К) при поддержке РФФИ (проекты N 13-08-00568, 13-02-91333).
  1. Дж.М. Мартинес-Дуарт, Р.Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. Техносфера, М. (2007). 368 с
  2. J.Zn. Zhang. Optical properties and spectroscopy of nanomaterials. World Scientific Publ. Co Pte. Ltd (2009). 383 p
  3. Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники. Техносфера, М. (2007). 352 с
  4. А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Изд-во Новосибирского ун-та, Новосибирск (2000). 448 с
  5. A.F. Zatsepin, E.A Buntov, V.S. Kortov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov. J. Phys.: Cond. Matter. 24, 045 301 (2012)
  6. A.F.Zatsepin, E.A.Buntov. In: Silicon-based nanomaterials. Chapter 5. Synchrotron-Excited Photoluminescence Spectroscopy of Silicon- and Carbon-Containing Quantum Dots in Low Dimensional SiO-=SUB=-2-=/SUB=- Matrices. Springer Ser. Mater. Sci. 187, 89 (2013)
  7. Zh. Pan, A. Ueda, H. Xu, S.K. Hark, S.H. Morgan, R. Mu. J. Nanophotonics. 12, 063 508 (2012)
  8. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  9. А.Н. Резницкий, А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров. ФТТ 54, 115 (2012)
  10. M.N. Nordin, J. Li, S.K. Clowes, R.J. Curry. Nanotechnology 23, 275 701 (2012)
  11. Д.Ю. Бирюков, А.Ф. Зацепин. ФТТ 56, 611 (2014)
  12. J. Wang, M. Righini, A. Gnoli, S. Foss, T. Finstad, U. Serincan, R. Turan. Solid State Commun. 147, 461 (2008)
  13. С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, Д.И. Тетельбаум. ЖТФ 82, 12, 63 (2012)
  14. M. Kapoor, V.A. Singh, G.K. Johri. Phys. Rev. B 61, 1941 (2000)
  15. R.A. Street. Adv. Phys. 25, 397 (1976)
  16. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials. Oxford University Press, Oxford (1979). 604 p
  17. Yu.D. Glinka, Sh-H. Lin, Yit-T. Chen. Phys. Rev. B 66, 035 404 (2002)
  18. Yu.D. Glinka, Sh-H. Lin, L-P. Hwang, Yit-T. Chen, N.H. Tolk. Phys. Rev. B 64, 085 421 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.