Вышедшие номера
Зависимость свойств эпитаксиальных тонких пленок титаната бария-стронция при изменении толщины
Широков В.Б.1,2, Головко Ю.И.1, Мухортов В.М.1,2, Юзюк Ю.И.2, Janolin P.E.3, Dkhil B.3
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3LSPMS, Ecole Centrale Paris, Paris, France
Email: shirokov-vb@rambler.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Проведены исследования гетероэпитаксиальных тонких пленок BaxSr1-xTiO3 различной толщины в параэлектрической фазе при температуре 600oC. Параметры решетки пленки показывают нелинейную зависимость от толщины. С уменьшением толщины происходит увеличение вынужденной деформации и увеличивается объем элементарной ячейки. Поведение вынужденной деформации при изменении толщины хорошо описывается в модели двойного электрического слоя, образовавшегося в процессе синтеза пленки на границе с подложкой. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 13-02-00251а, 13-02-12085-ОФИ_М и 13-01-90619 Арм_а).
  1. B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hausen, J.S. Speck, R.A. York. IEEE Microwave Wireless Components Lett. 12, 237 (2002)
  2. P.K. Petrov, N. McN Algord, S. Gevorgyan. Meas. Sci. Technol. 16, 583 (2005)
  3. C.M. Carlson, T.V. Rivkin, P.A. Parilla, J.D. Perkins, D.S. Ginley, A.B. Kozyrev, V.N. Oshadchy, A.S. Pavlov. Appl. Phys. Lett. 76, 1920 (2000)
  4. C.M. Carlson, T.V. Rivkin, P.A. Parilla, J.D. Perkins, D.S. Ginley, A.B. Kozyrev, V.N. Oshadchy, A.S. Pavlov, A. Golovkov, M. Sugak, D. Kalinikos, L.C. Sengupta, L. Chiu, X. Zhang, Y. Zhu, S. Sengupta. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 603, 15 (2000)
  5. W.J. Kim, W. Chang, S.B. Qadri, J.M. Pond, S.W. Kirchoefer, D.B. Chrisey, J.S. Horwitz. Appl. Phys. Lett. 76, 1185 (2000)
  6. B.H. Hoerman, B.M. Nichols, B.W. Wessels. Phys. Rev. B 65, 224 110 (2002)
  7. S.K. Streiffer, C. Basceri, C.B. Parker, S.E. Lash, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999)
  8. D.E. Kotecki, J.D. Baniecki, H. Shen, R.B. Laibowitz, K.L. Saenger, J.J. Lian, T.M. Shaw, S.D. Athavale, C. Cabral, P.R. Duncombe, M. Gutsche, G. Kunkel, Y.-J. Park, Y.-Y. Wang, R. Wise. IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999)
  9. N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998)
  10. S.B. Desu. J. Electrochem. Soc. 140, 2981 (1993)
  11. V.M. Mukhortov, Y.I. Golovko, G.N. Tolmachev. Ferroelectrics 247, 75 (2000)
  12. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, Г.Н. Толмачев, А.И. Мащенко. ЖТФ 69, 12, 87 (1999)
  13. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, В.В. Колесников, В.А. Бирюков. Письма в ЖТФ 31, 23, 75 (2005)
  14. D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-ray diffractometry and topography. Taylor \& Francis, London (1998) 224 p
  15. E.J. Tarsa, E.A. Hachfeld, F.T. Quinlan, S.J. Speck, M. Eddy. Appl. Phys. Lett. 68, 490 (1996)
  16. V.B. Shirokov, Yu.I. Yuzyuk, B. Dkhil, V.V. Lemanov. Phys. Rev. B 79, 144 118 (2009)
  17. Ю.И. Головко, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк, P.E. Janolin, B. Dkhil. ФТТ 50, 467 (2008)
  18. В.Б. Широков, С.В. Бирюков, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 81, 8, 115 (2011)
  19. V.B. Shirokov, V.I. Torgashev, A.A. Bakirov, V.V. Lemanov. Phys. Rev. B 73, 104 116 (2006)
  20. В.Б. Широков, Ю.И. Юзюк, В.В. Калинчук, В.В. Леманов. ФТТ 55, 709 (2013)
  21. J.S. Speck, W. Pompe. J. Appl. Phys. 76, 1, 466 (1994)
  22. S.P. Alpay, A.L. Roytburd. J. Appl. Phys. 83, 4714 (1998)
  23. Z.-G. Ban, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002)
  24. L.S. Dubrovinsky, S.K. Saxena. Phys. Chem. Miner. 24, 547 (1997)
  25. В.Б. Широков. Опт. и спектр. 112, 137 (2012)
  26. В.Б. Широков, Ю.И. Головко, В.М. Мухортов. ЖТФ 82, 7, 79 (2012)
  27. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984) 456 с
  28. G.Y. Yang, G.D. Lian, E.C. Dickey, C.A. Randall, D.E. Barber, P. Pinceloup, M.A. Henderson, R.A. Hill, J.J. Beeson, D.J. Skamser. J. Appl. Phys. 96, 7500 (2004)
  29. Б.В. Дерягин, Н.В. Чураев, В.М. Муллер. Поверхностные силы. Наука, М. (1985). 400 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.