Издателям
Вышедшие номера
Исследование фотоэлектрической составляющей механизма светоиндуцированного падения сопротивления в кристаллах SrTiO3
Шаблаев С.И.1, Грачев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grach.shuv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Результаты экспериментального наблюдения фотоэдс в образце кристалла SrTiO3, демонстрирующем эффект светоиндуцированного падения сопротивления, подтвердили предложенную ранее модель эффекта в ее фотоэлектрической части. Однако кроме ожидавшегося проявления барьерной фотоэдс обнаружен еще один источник фототока, приписанный проявлению линейного фотогальванического эффекта в приповерхностной области кристалла. Предполагается, что главную роль в генерации фотогальванического тока могут играть дипольные центры типа кислородная вакансия--трехзарядный ион титана, ориентируемые электрическим полем поверхностного барьера.
  1. С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 56, 655 (2014)
  2. К. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser. Nature Mater. 5, 312 (2006)
  3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. Adv. Mater. 21, 2632 (2009)
  4. Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. Наука, М. (1992). 208 с
  5. R.A. De Souza, V. Metlenko, D. Park, T.E. Weirich. Phys. Rev. B 85, 174 109 (2012)
  6. Л.С. Сочава, В.Э. Бурсиан, А.Г. Раздобарин. ФТТ 42, 1595 (2000)
  7. V.V. Obukhovsky, A.V. Stoyanov. Ferroelectrics 43, 137 (1982)
  8. А.И. Грачев, М.П. Петров, М.В. Красинькова. ФТТ 28, 1530 (1986)
  9. P. Salvador, C. Guttierrez, G. Campet, P. Hagenmuller. J. Electrochem. Soc. 131, 550 (1984)
  10. P.V. Yudin, A.K. Tagantsev. Nanotechnology 24, 432 001 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.