Рассматривается метод оптического мониторинга процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок состава Ba_0.8Sr_0.2TiО₃, выращенных методом высокочастотного реактивного плазмохимического осаждения. Исследования плазмы в оптическом диапазоне показали, что спектр излучения на длинах волн lambda>450 nm не претерпевает изменений в интервалах варьирования напряжения смещения. При lambda=300-400 nm наблюдается корреляция спектров излучения пленкообразующей среды при различных напряжениях мишень-подложка. Масс-спектры пленкообразующей среды показали, что при напряжениях смещения U=350-600 V в газовой фазе в основном регистрируются ионизированные частицы с массовым числом 220-240, близким к молярной массе соединения Ba_0.8Sr_0.2TiО_{3± x}. При U>650 V наряду с образованием многоатомных частиц в газовой фазе присутствуют ионы с массовыми числами, соответствующими химическому составу компонент мишени BaTiО₃, SrTiО₃, BaО, SrО. Показано, что на границе раздела фаз существует переходный слой, обогащенный материалом подложки. Установлено, что мониторинг пленкообразующей среды и временной фактор позволяют воспроизводимо выращивать наноразмерные пленки с заданными кристаллохимическими параметрами. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (гранты N 12-07-00662-а, 13-07-00782-а) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.