Вышедшие номера
Импедансные спектры кристаллов легированного силиката висмута Bi12SiO20:Ge
Аванесян В.Т.1, Абрамова Н.М.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: avanesyan@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Исследованы особенности поведения импедансных спектров монокристаллов структуры силленита Bi12SiO20, легированных германием. Установлена дисперсия полученных зависимостей, отвечающая распределению времен релаксации. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость, обусловленные объемом кристалла и границей образец-электрод. Отражена роль примесного фактора и электронов неподеленной пары ионов трехвалентного висмута в формировании дефектной структуры кристалла.