Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронно-лучевая запись микродоменов на неполярной поверхности кристаллов LiNbO₃ при различных ускоряющих напряжениях РЭМ

Коханчик Л.С.¹, Гайнутдинов Р.В.², Волк Т.Р.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: volk-1234@yandex.ru

Поступила в редакцию: 17 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние ускоряющего напряжения U электронного луча РЭМ на характеристики микродоменов, записанных электронно-лучевым методом на неполярной Y-поверхности кристаллов LiNbO₃. Толщина T_d доменов вдоль направления Y определяется глубиной пробега R_e первичных электронов, зависящей от U. Благодаря этому величина T_d может быть задана в интервале ~0.2-4 mum при U=5-25 kV соответственно. Выполнены оценки коэффициента эмиссии электронов sigma для различных U, превышающих значение второй равновесной точки U₂ (sigma=1) на диаграмме sigma(U). По этим данным построена зависимость sigma(U) для LiNbO₃. На основании экспозиционных характеристик длины L_d доменов, растущих вдоль полярной оси Z, установлена зависимость поля пространственного заряда, определяющего планарный рост доменов вдоль Z, от поверхностной эмиссии электронов sigma. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (проекты N 13-02-12440-офи_м, 12-02-00596-а) и Программы фундаментальных исследований ОФН РАН "Физика новых материалов и структур" с использованием оборудования ЦКП ИК РАН при поддержке Минобрнауки (проект RFMEFI62114X0005).

J. Armstrong, N. Bloembergen, J. Ducuing, P.S. Pershan. Phys. Rev. 127, 1918 (1962)
W. Sohler, H. Hu, R. Ricken, V. Quiring, Ch. Vannahme, H. Herrmann, D. Bueсhter. Opt. Phot. News, 24, (2008)
T. Volk, M. Wohlecke. Lithium Niobate: Defects, Photorefraction and Ferroelectric Switching. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg (2008). 247 p
V. Berger. Phys. Rev. B 81, 4136 (1998)
C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 193 (2003)
Y. Glickman, E. Winebrand, A. Arie, G. Rosenman. Appl. Phys. Lett. 88, 011 103 (2006)
J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943 (2003)
L. Mateos, L.E. Bausa, M.O. Rami rez. Appl. Phys. Lett. 102, 042 910 (2013)
L. Mateos, L.E. Bausa, M.O. Rami rez. Opt. Mater. Express, 4, 1077 (2014)
A.C.G. Nutt, V. Gopalan, M.C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 2828 (1992)
R.W. Keys, A. Loni, R.M. De La Rue, C.N. Ironside, J.N. Marsh, B.J. Luff, P.D. Townsend. Electron. Lett. 26, 188 (1990)
P. Molina, M.O. Ramirez, J. Garcia-Sole, L.E. Bausa. Opt. Mater. 31, 1777 (2009)
L.S. Kokhanchik, D.V. Punegov. Ferroelectrics, 373, 69 (2008)
Л.С. Коханчик, М.В. Бородин, С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, В.В. Щербина, Т.Р. Волк. ФТТ 52, 1602 (2010)
L.S. Kokhanchik, T.R. Volk. Appl. Phys. B 110, 367 (2013)
L.S. Kokhanchik, R.V. Gainutdinov, E.D. Mishina, S.D. Lavrov, T.R. Volk. Appl. Phys. Lett. 105, 142 901 (2014)
F. Genereux, G. Baldenberger, B. Bourliaguet, R. Vallee. Appl. Phys. Lett. 91, 231 112 (2007)
E.V. Emelin, L.S. Kokhanchik, M.N. Palatnikov. J. Surf. Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Techn. 7, 825, (2013)
K. Nassau, H.J. Levinstein, G.M. Loiacono. Appl. Phys. Lett. 6, 228 (1965)
И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 406 с
S. Fakhfakh, O. Jbara, S. Rondot, A. Hadjadj, J.M. Patat, Z. Fakhfakh. J. Appl. Phys. 108, 093 705, (2010)
H. Seiler. J. Appl. Phys. 54, R1 (1983)
J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
Э.И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. ФТТ 50, 599 (2007)
V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, Yu.I. Voronovskii. Phys. Status. Solidi 86, 133 (1984)
A.F. Bielajev, D.W.O. Rodgers. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 18, 165, (1987)
A.K. Tagantzev, L.E. Cross, J. Fousek. Domains in Ferroic Crystals and Thin Films. Springer Science (2010). 880 с
Е.Н. Евстафьева, Э. Плиес, Э.И. Рау, Р.А. Сеннов, А.А. Татаринцев, Б.Г. Фрейнман. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 1023 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель