Методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и изотермической термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы силицидообразования в тонких пленках, образующихся при напылении атомов Eu на поверхность Si(111). Показано, что при нанесении Eu на подложку при комнатной температуре растет неупорядоченная пленка практически чистого Eu. При высоких температурах (T>=q 500 K) формирование системы Eu-Si(111) происходит по механизму Странского-Крастанова: вначале образуется двумерный переходный слой (реконструкция) со структурой (2x 1), а затем растут трехмерные кристаллиты силицидов. Показано, что отличительной особенностью исследованной системы является низкая скорость диффузии атомов Si в силицидах европия. Этим обусловлен градиент концентрации атомов Si по толщине пленок силицидов и как следствие этого их многофазный состав. Работа выполнена при поддержке МПНТ РФ в рамках государственной научной программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 2.5.99).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.