Издателям
Вышедшие номера
Формирование тонкопленочной структуры Eu-Si(111): стадия силицидообразования
Крачино Т.В.1, Кузьмин М.В.1, Логинов М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и изотермической термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы силицидообразования в тонких пленках, образующихся при напылении атомов Eu на поверхность Si(111). Показано, что при нанесении Eu на подложку при комнатной температуре растет неупорядоченная пленка практически чистого Eu. При высоких температурах (T>=q 500 K) формирование системы Eu-Si(111) происходит по механизму Странского-Крастанова: вначале образуется двумерный переходный слой (реконструкция) со структурой (2x 1), а затем растут трехмерные кристаллиты силицидов. Показано, что отличительной особенностью исследованной системы является низкая скорость диффузии атомов Si в силицидах европия. Этим обусловлен градиент концентрации атомов Si по толщине пленок силицидов и как следствие этого их многофазный состав. Работа выполнена при поддержке МПНТ РФ в рамках государственной научной программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 2.5.99).
  1. J.E. Baglin, F.M. d'Heurle, C.S. Peterson. Appl. Phys. Lett. 36, 7, 294 (1980)
  2. F.P. Netzer. J. Phys.: Condens. Matter. 7, 991 (1995)
  3. K.N. Tu, R.D. Thompson, B.Y. Tsaur. Appl. Phys. Lett. 38, 8, 626 (1981)
  4. W.A. Henle, M.G. Ramsey, F.P. Netzer, K. Norn. Surface Science 254, 182 (1991)
  5. А.Ю. Григорьев, А.М. Шикин, Г.В. Прудникова, С.А. Горовиков, В.К. Адамчук. ФТТ 40, 3, 562 (1997)
  6. L. Ming, L. Grill, M.G. Ramsey, F.P. Netzer, J.A.D. Matthew. Surface Science 375, 24 (1997)
  7. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 42, 3, 553 (2000)
  8. T.V. Krachino, M.V. Kuz'min, M.V. Loginov, M.A. Mittsev. Appl. Surf. Sci. 182, 115 (2001)
  9. М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев, Т.В. Крачино. ФТТ 37, 4, 1030 (1995)
  10. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 4, 666 (1986)
  11. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 2, 256 (1997)
  12. Дж.П. Хирс, К.Л. Моазед. В кн.: Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хааса, Р.Э. Туна. Пер. с англ. Мир, М. (1970). Т. 4. С. 123
  13. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 40, 2, 371 (1998)
  14. R. Kern, G. Le Lay, J.J. Metois. In Current Topics in Mater Sci. 3, 3, 179 (1979)
  15. Свойства элементов. Часть I Физические свойства / Под ред. Г.В. Самсонова. Металлургия, М. (1976). 299 с
  16. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. Пер. с англ. Мир, М. (1989). 342 с
  17. W. Monch. Semiconductor. Surfaces and Interfaces. Springer-Verlag, Berlin, (1993). 366 p
  18. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 9, 1672 (1998)
  19. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 40, 10, 1937 (1998)
  20. I. Manke, H.J. Wen, A. Hohr, A. Bauer, M. Dahne-Prietsch, G. Kaindl. J. Vac. Sci. Techn. B 13, 4, 1657 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.