Вышедшие номера
Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
Тумаркин А.В.1, Кукушкин С.А.2,3,4, Осипов А.В.2,4, Одинец А.А.1, Анкудинов А.В.5,6
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Экспериментально исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция (BaSrTiO3) на монокристаллических подложках сапфира. Показано, что на начальной стадии конденсации пленки BaSrTiO3 на сапфире фазовый переход пар-твердое тело происходит в два этапа. На первом этапе на поверхности формируется упругонапряженный смачивающий слой, наследующий структуру подложки. При этом на поверхности смачивающего слоя образуется сильный электрический заряд. На втором этапе фазового превращения смачивающий слой теряет устойчивость и трансформируется в зародыши BaSrTiO3, которые в процессе эволюции сливаются в сплошную пленку. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта N 13-02-12096 офи_м, Российского научного фонда (грант N 14-22-00018) и Минобрнауки РФ.
  1. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  2. В.Г. Дубровский. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. Физматлит, М. (2009). 351 с
  3. V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, Heidelberg--N.Y.--Dordrecht--London. (2004). 601 p
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. Surf. Sci. 51, 1 (1996)
  5. В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок. Энергоатомиздат, М. (1993). 325 с
  6. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Наука, СПб. (1996). 304 с
  7. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.М. Трискона. Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд. БИНОМ, М. (2011). 440 с
  8. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)
  9. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, F. Schmitt, P. Hess. ФТП 36, 1177 (2002).
  10. О.Г. Вендик. ФТТ 51, 1441 (2009)
  11. А.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter. J. Electroceram. 11, 5 (2003)
  12. J.F. Scott. Science 315, 954 (2007)
  13. S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin, A.B. Kozyrev, O.G. Vendik, A.V. Ivanov, O.U. Buslov, V.N. Keys, L.C. Sengupta, X. Zhang. Appl. Phys. Lett. 81, 1675 (2002)
  14. А.В. Тумаркин, Е.Р. Тепина, Е.А. Ненашева, Н.Ф. Картенко, А.Б. Козырев. ЖТФ 82, 6, 53 (2012)
  15. А.В. Тумаркин, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров. ФТТ 52, 2397 (2010)
  16. М.П. Шаскольская. Акустические кристаллы. Наука, М. (1982). 630 с
  17. А.В. Ржанов. УФН 38, 462 (1949)
  18. С.А. Кукушкин. Успехи механики 2, 2, 21 (2003)
  19. Дж. Най. Физические свойства кристаллов. ИИИЛ, М. (1960). 385 с
  20. В.Ю. Тополов, А.Е. Панич. Исследовано в России. Электрон. науч. журн. 11, 8 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.