Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическое поглощение и центры окраски в крупных кристаллах Ti:сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в восстановительных условиях

Нижанковский C.B.¹, Сидельникова H.C.¹, Баранов B.B.¹

¹Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Email: nizhankovsky@yandex.ru

Поступила в редакцию: 10 октября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования оптического поглощения в крупных кристаллах Ti:сапфира (размерами до 175x175x40 mm), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации с использованием зонного выравнивания распределения активатора в различных восстановительных атмосферах. Показана высокая однородность оптических характеристик и распределения центров окраски на основе Ti³⁺, Ti⁴⁺ и активаторно-вакансионных комплексов в выращенных кристаллах, которая в значительной степени определяется стабильностью восстановительного потенциала среды выращивания. Установлено, что концентрация активатора в зарядовом состоянии Ti⁴⁺ в кристаллах, выращенных в атмосфере СО+Н₂ низкого давления не превышает 1.5%, в атмосфере Ar составляет 0.2-0.5% от общего количества активатора. После дополнительного восстановительного отжига концентрация Ti⁴⁺ снижается до ~0.01%.

С.А. Пикуз, А.Я. Фаенов, И.Ю. Скобелев, В.Е. Фортов. УФН 184, 759 (2014)
S.K. Lee, T.J. Yu, J.H. Sung / Conference paper. CLEO: Science and innovatons. San Jose, California, USA. May 6-11, 2012
D.B. Joyce, F. Schmid. J. Crystal Growth 312, 1138 (2010)
C.B. Нижанковский, Е.В. Кривоносов, В.В. Баранов, А.Т. Будников, В.Н. Канищев, Л.А. Гринь, Г.Т. Адонкин. Неорг. мат. 48, 1243 (2012)
Н.А. Москвин, В.А. Сандуленко, Е.А. Сидорова. ЖПС 32, 1017 (1980)
R.L. Aggarwal, A. Sanchez, M.M. Stuppi. IEEE J. Quantum Electronics 24, 1003 (1988)
В.С. Коневский, Е.В. Кривоносов, Л.А. Литвинов, М.И. Шахнович. ЖПС 50, 651 (1989)
E.V. Kryvonosov, L.A. Lytvynov. Crystallography Reports 57, 967 (2012)
Х.С. Багдасаров, В.Г. Карягин, А.М. Кеворков, Д.Т. Свиридов, Е.М. Уюкин. Кристаллография 39, 656 (1994)
C.B. Нижанковский, A.Я. Данько, Е.В. Кривоносов, В.М. Пузиков. Неорг. мат. 46, 41 (2010)
М.В. Классен-Неклюдова, Х.С. Багдасаров. Рубин и сапфир. Наука, М. (1974). 236 с
D.S. McClure. J. Chem. Phys. 36, 2757 (1962)
P. Lacovara, L. Esterowitz, M. Kokta. IEEE J. Quantum Electron. 21, 1614 (1985)
F.X. Zha, J.H. Zhang, S.D. Xia. J. Phys.: Condens. Matter. 6, 6497 (1994)
M.B. Фок. Труды ФИАН 59, 3 (1972)
В.Г. Тяжелова. ЖПС 10, 22 (1969)
W. Chen, H. Tang, C. Shi, J. Deng, J. Shi, Y. Zhou, S. Xia, Y. Wang, S. Yin. Appl. Phys. Lett. 67, 317 (1995)
V.B. Mikhailik, H. Kraus, M. Balcerzyk, W. Czarnacki, M. Moszynski, M.S. Mykhaylyk, D. Wahl. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 546, 523 (2005)
H.H. Kusuma, Z. Ibrahim. Solid State Science and Technology 20, 41 (2012)
H.H. Kusuma, Z. Ibrahim, M.K. Saidin. J. Appl. Sci. 11, 888 (2011)
B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instrum. Methods. B91, 258 (1994)
B.D. Evans, M. Stapelbroek. Phys. Rev, B 18, 7089 (1978)
K.H. Lee, J.H. Crawford. Phys. Rev. B 19, 3217 (1979)
B.G. Draeger, G.P. Summers. Phys. Rev. B 19, 1172 (1979)
И.А. Вайнштейн, В.С. Кортов. ФТТ 42, 1223 (2000)
А.И. Сюрдо. Известия вузов. Физика 54, 277 (2011)
T.C. Бессонова, М.П. Станиславский, В.Я. Хаимов-Мальков. Опт. и спектр. 41, 152 (1976)
W.C. Wong, D.S. McClure, S.A. Basun, M.R. Kokta. Phys. Rev. B. B51, 5682 (1995)
А.И. Сюрдо. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.07. Уральский государственный технический университет. Екатеринбург (2007)
S. Choi, T. Takeuchi T. Phys. Rev. Lett. 50, 1474 (1983)
Э.В. Еськов Э.В., М.М. Сабельникова., Ю.А. Игнатов. В кн.: Тезисы докладов VI Международной научной конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии", 17-22 сентября 2006 г., г. Кисловодск. 510 с
E.W.J. Mitchell, J.D. Rigdena, P.D. Townsend. Phil. Mag. 5, 1013 (1960)
B.D. Evans. J. Nuclear Materials. 219, 202 (1995)
J. Stone-Sundberg, M. Kokta M., A. Silberstein, G. Venikouas, K. Heikinnen. Workshop: Technological Bottlenecks in CHISP Lasers, Paris, April 1-4, 2003.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель