Вышедшие номера
Механизмы формирования морфологических особенностей микротрубок в объемных кристаллах карбида кремния
Аргунова Т.С.1, Гуткин М.Ю.2,3,4, Кон В.Г.5, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: argunova2002@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Экспериментально и теоретически изучены новые морфологические особенности дислокационных микротрубок в монокристаллах SiC. Показано, что цилиндрическая форма микротрубок неустойчива, а размеры сечений микротрубок изменяются вдоль их осей. Экспериментальные результаты получены путем измерения изображений микротрубок методом рентгеновской фазово-контрастной микроскопии на источнике высоко-когерентного синхротронного излучения. Размеры сечений микротрубок определены при помощи компьютерного моделирования их изображений. Предложена теоретическая модель превращения дислокаций в микротрубки за счет неравновесных процессов трубочной диффузии и коагуляции вакансий на дислокациях, параллельных оси роста кристалла. М.Ю. Гуткин благодарит РНФ (грант N 14-29-00086) и Е.Н. Мохов благодарит РФФИ (грант N 13-02-00802) за поддержку исследований.
  1. C.R. Eddy, D.K. Gaskill Jr. Science 324, 1398 (2009)
  2. F.C. Frank. Acta Cryst. 4, 497 (1951)
  3. W. Si, M. Dudley, R. Glass, V. Tsvetkov, C. Carter. J. Electron. Mater. 26, 128 (1997)
  4. J. Giocondi, G.S. Rohrer, M. Skowronski, V. Balakrishna, G. Augustine, H.M. Hobgood, R.H. Hopkins. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 539 (1996)
  5. J. Heindl, W. Dorsch, R. Eckstein, D. Hofmann, T. Marek, St.G. Muller, H.P. Strunk, A. Winnacker. J. Cryst. Growth 179, 510 (1997)
  6. H.P. Strunk, W. Dorsch, J. Heindl. Adv. Eng. Mater. 2, 386 (2000)
  7. X. Ma. J. Appl. Phys. 99, 063 513 (2006)
  8. X. Ma. Mater. Sci. Eng.: B 129, 216 (2006)
  9. X.R. Huang, M. Dudley, W.M. Vetter, W. Huang, S. Wang, C.H. Carter Jr. Appl. Phys. Lett. 74, 353 (1999)
  10. M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett. 75, 784 (1999)
  11. P. Pirouz. Phil. Mag. A 78, 727 (1998)
  12. N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro. J. Cryst. Growth 226, 254 (2001)
  13. G. Augustine, McD. Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins. Phys. Status Solidi: B 202, 137 (1997)
  14. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП 45, 743 (2011)
  15. V.G. Kohn, T.S. Argunova, J.H. Je. Appl. Phys. Lett. 91, 171 901 (2007)
  16. T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, J.H. Je, V.G. Kohn, E.N. Mokhov. In: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices / Ed. Y. Hijikata. Intech Publications, Rijeka, Croatia (2013). Ch. 2, P. 27
  17. Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi B 202, 177 (1997)
  18. N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectron. Eng. 83, 142 (2006)
  19. D. Siche, H-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber. J. Cryst. Growth 237- 239, 1187 (2002)
  20. M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman, M.A. Smirnov, T.S. Argunova, J.H. Je, S.S. Nagalyuk, E.N. Mokhov. J. Appl. Phys. 106, 123 515 (2009)
  21. M. Born, E. Wolf. Principles of optics. 4-th Ed. Pergamon Press, London (1968). Ch. 10
  22. V.G. Kohn, T.S. Argunova, J.H. Je. AIP Advances 3, 122 109 (2013)
  23. Т.С. Аргунова, В.Г. Кон, J.H. Je. Поверхность 12, 48 (2008)
  24. В.Г. Кон, Т.С. Аргунова, J.H. Je. Поверхность 1, 5 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.