Проведен анализ механизма переноса тока в новом типе селективного (с перестраиваемым спектром) инжекционного фотоприемника с внутренним усилением на основе структуры M(In)-n-CdS-p-Si-M(In). Показано, что в этой структуре происходит взаимная компенсация встречных дрейфовых и диффузионных потоков носителей заряда. Встречные дрейфовые и диффузионные потоки неравновесных носителей при плотностях обратного тока I~10^-8-10^-7 A/cm² приводят к появлению точек инверсии знака фоточувствительности в коротковолновой и в длинноволновой областях спектра. Взаимная компенсация встречных дрейфовых и диффузионных потоков при плотностях тока порядка ~10^-6 A/cm² приводит к появлению сублинейного участка на обратной вольт-амперной характеристике в широком диапазоне напряжений смещения. Установлено, что гетеропереход n-SdS-p-Si имеет низкую плотность поверхностных состояний и это позволяет получить на основе рассматриваемой структуры инжекционный фотоприемник с высокой спектральной (S_lambda=5.0·10⁴ A/W) и интегральной (S_int=2.8·10⁴ A/lm или 4.5·10⁶ A/W) чувствительностью в прямом направлении тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.