Издателям
Вышедшие номера
Формирование силицидов марганца на поверхности Si(111)7x7
Гомоюнова М.В.1, Гребенюк Г.С.1, Пронин И.И.1, Сеньковский Б.В.2,3, Вялых Д.В.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Solid State Physics, Dresden University of Technology, Dresden, Germany
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: Igor.Pronin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(111)7x7, находящейся при комнатной температуре, и реакции твердофазного синтеза силицидов марганца, протекающие при отжиге этих пленок в диапазоне температур до 600oC. Показано, что нанесение Mn на поверхность кремния приводит к образованию интерфейсного силицида марганца и пленки твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения ~6 Angstrem Mn. При этом в диапазоне покрытий до 17 Angstrem Mn наблюдается сегрегация кремния. Отжиг образца, на поверхность которого было нанесено 25 Angstrem Mn, проводимый в интервале температур 200/400oC, приводит к формированию твердого раствора Mn-Si и моносилицида марганца. Дальнейшее повышение температуры до 600oC приводит к перестройке MnSi в полупроводниковый силицид MnSi1.7. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант N 13-02-00398) и Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY II.
  1. S.L. Zhang, M. Ostling. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28, 1 (2003)
  2. A.L. Schmitt, J.M. Higgins, J.R. Szczech, S. Jin. J. Mater. Chem. 20, 223 (2010)
  3. C.A. Nolph, E. Vescovo, P. Reinke. Appl. Surf. Sci. 255, 7642 (2009)
  4. M.M.R. Evans, J.C. Glueckstein, J. Nogami. Phys. Rev. B, 53, 4000 (1996)
  5. S.M. Shivaprasad, C. Anandan, S.G. Azatyan, Y.L. Gavriljuk, V.G. Lifshits. Surf. Sci. 382, 258 (1997)
  6. T. Nagai, S. Ohuchi, Y. Matsuoka, S. Hasegava. Surf. Sci. 419, 134 (1999)
  7. S. Azatyan, M. Iwari, V.G. Lifshits. Surf. Sci. 589, 106 (2005)
  8. K.H. Kim, J.D. Lee, J.J. Lee, S.W. Han, J.-S. Kang. J. Korean Phys. Soc. 51, 1032 (2007)
  9. S. Azatyan, M. Hirai, M. Kusaka, M. Iuami. Appl. Surf. Sci. 237, 105 (2004)
  10. E. Magnano, F. Bondino, C. Cepek, F. Parmigiani, M.C. Mozzati. Appl. Phys. Lett. 96, 152503 (2010)
  11. S.G. Azatyan, O.A. Utas, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci. 605, 289 (2011)
  12. T. Suzuki, T. Lutz, B. Geisler, P. Kratzer, K. Kern, G. Costantini. Surf. Sci. 617, 106 (2013)
  13. С.Н. Варнаков, М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, В.Н. Заблуда, С.Г. Овчинников, И.И. Пронин. ФТТ. 56, 2, 375 (2014)
  14. С.Н. Варнаков, М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, В.Н. Заблуда, С.Г. Овчинников, И.И. Пронин. ФТТ. 56, 4, 779 (2014)
  15. R.I.G. Uhrberg, T. Kaurila, Y.-C. Chao. Phys. Rev. B 58, R1730 (1998)
  16. I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, D.V. Vyalikh, Yu.S. Dedkov, S.L. Molodtsov. J. Appl. Phys., 104, 104 914 (2008)
  17. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 10, 1 (2004)
  18. E. Karhu, S. Kahwaji, T.L. Monchesky, C. Parsons, M.D. Robertson, C. Maunders. Phys. Rev. B 82, 184 417 (2010)
  19. Y.C. Lian, L.J. Chen. Appl. Phys. Lett. 48, 358 (1986)
  20. F. Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Phys. Rev. B 49, 11 134 (1994)
  21. M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, I.I. Pronin, A.S. Voronichikhin, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 601, 5069 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.