Издателям
Вышедшие номера
Транспортные свойства нанокомпозитных термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
Овсянников Д.А.1, Попов М.Ю.1,2,3, Буга С.Г.1,2, Кириченко А.Н.1, Тарелкин С.А.1,3, Аксененков В.В.1, Татьянин Е.В.1, Бланк В.Д.1,2,3
1Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: dao@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Проведены экспериментальные исследования модификации транспортных свойств (теплопроводность, электропроводность и коэффициент Зеебека) наноструктурированных термоэлектриков на основе Ge и Si-Ge с включениями второй фазы. В качестве модифицирующих включений в нанокомпозите Ge-C60 присутствовали фуллерен C60, располагающийся по границам зерен германия, и нанокристаллы SiC размером 1-5 nm в нанокомпозите Si-Ge-SiC. В частности, наличие таких включений приводит к увеличению коэффициента Зеебека в области температур выше 600 K и в целом к возрастанию термоэлектрической эффективности ZT в 1.5-2 раза по сравнению с аналогичными характеристиками наноструктурированных термоэлектриков на основе Si-Ge без модифицирующих включений второй фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания НИТУ "МИСиС" и ГК N 14.577.21.0090 с использованием оборудования центра коллективного пользования ФГБНУ ТИСНУМ.
  1. Z. Zamanipour, X. Shi, A.M. Dehkordi, J.S. Krasinski, D. Vashaee. Phys. Status Solidi A 209, 10, 2049 (2012)
  2. Z. Zamanipour, E. Salahinejad, P. Norouzzadeh, J.S. Krasinski, L. Tayebi, D. Vashaee. J. Appl. Phys. 114, 023 705 (2013)
  3. G. Joshi, H. Lee, Y. Lan, X. Wang, G. Zhu, D. Wang, R.W. Gould, D.C. Cuff, M.Y. Tang, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren. Nano Lett. 8, 12, 4670 (2008)
  4. X.W. Wang, H. Lee, Y.C. Lan, G.H. Zhu, G. Joshi, D.Z. Wang, J. Yang, A.J. Muto, M.Y. Tang, J. Klatsky, S. Song, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z.F. Ren. Appl. Phys. Lett. 93, 193 121 (2008)
  5. P. Dismukes, L. Ekstrom, E.F. Steigmeier, I. Kudman, D.S. Bears. J. Appl. Phys., 35, 10, 2899 (1964)
  6. Thermoelectric handbook macro to nano / Ed. D.M. Rowe. CRC Press, Boca Raton (2006). 1014 p
  7. A. Ioffe. Sci. Am. 199, 31 (1958)
  8. V.V. Medvedev, M.Y. Popov, B.N. Mavrin, V.N. Denisov, A. Kirichenko, E.V. Tat'yanin, L.A. Ivanov, V.V. Aksenenkov, S.A. Perf, R. Lomakin, V.D. Blank. Appl. Phys. A 105, 1, 45 048 (2011)
  9. M. Popov, V. Medvedev, V. Blank, V. Denisov, A. Kirichenko, E. Tat'yanin, V. Aksenenkov, S. Perf, R. Lomakin, E. D'yakov. J. Appl. Phys. 108, 9, 094 317 (2010)
  10. E.I. Rogacheva, O.N. Nashchekina, T.V. Tavrina, M. Us, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin, O. Rabin. Physica E 17, 313 (2003)
  11. E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina, O.N. Nashchekina, S.N. Grigorov, K.A. Nasedkin, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin. Appl. Phys. Lett. 80, 15, 2690 (2002)
  12. M. Popov, S. Buga, P. Vysikaylo, P. Stepanov, V. Skok, V. Medvedev, E. Tatyanin, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Aksenenkov, V.V. Blank. Phys. Status Solidi A 208, 12, 2783 (2011)
  13. G. Chen. In: Semiconductors and Semimetals. Academic Press (2001). V. 71. P. 203
  14. L. Hicks, M. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 16 631 (1993)
  15. G. Chen. Phys. Rev. B 57, 14 958 (1998)
  16. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  17. C.M. Bhandari, D.M. Rowe. Contemp. Phys. 21, 219 (1980)
  18. G.A. Slack, M.S. Hussain. J. Appl. Phys. 70, 2694 (1991)
  19. C.B. Vining. J. Appl. Phys. 69, 331 (1991)
  20. Semiconductors and Semimetals / Ed. T.M. Tritt. Academic Press (2001). V. 69. 326 p
  21. W. Kim, J. Zide, A. Gossard, D. Klenov, S. Stemmer, A. Shakouri, A. Majumdar. Phys. Rev. Lett. 96, 045 901 (2006)
  22. T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge. Science 297, 2229 (2002)
  23. J. Minnich, M.S. Dresselhaus, Z.F. Ren, G. Chen. Energy Environ. Sci. 2, 466 (2009)
  24. Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, С.Г. Буга, В.В. Аксененков, А.Н. Кириченко, Р.Л. Ломакин, С.А. Тарелкин, Е.В. Татьянин, В.Д. Бланк. Тр. МФТИ 4, 3 (15), 36 (2012)
  25. Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, С.Г. Буга, А.Н. Кириченко, С.А. Тарелкин, В.В. Аксененков. Изв. вузов. Химия и хим. технология 56, 7, 63 (2013)
  26. M. Ferrari, L. Lutterotti. J. Appl. Phys. 76, 724 (1994)
  27. L. Vegard. Z. Phys. 5, 1, 17 (1921)
  28. T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
  29. F. Schaffler. In: Properties of Advances semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / Eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. John Wiley \& Sons, Inc., NY (2001). P. 149.
  30. T.H. Geballe, G.W. Hull. Phys. Rev. 98, 940 (1955)
  31. T.H. Geballe, G.W. Hull. Phys. Rev. 94, 1134 (1954)
  32. N.F. Mott, H. Jones. The theory of the properties of metals and alloys. The Clarendon Press, Oxford (1936). 341 p
  33. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B 212, 429 (1995)
  34. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B 348, 213, (2004)
  35. D.R. Khanal, W.L. Joanne, W. Walukiewicz, J. Wu. Nano Lett. 7, 5, 1186 (2007)
  36. W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 54, 21, 2094 (1989)
  37. W. Walukiewicz. Physica B 302-- 303, 123 (2001)
  38. Р.З Валиев, И.В. Александров. Объемные наноструктурные металлические материалы: получение, структура и свойства. Академкнига, М. (2007). 398 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.