Издателям
Вышедшие номера
Структурные свойства пленочного титаната бария-стронция в зависимости от технологических условий роста пленок
Тумаркин А.В.1, Альмяшев В.И.1, Разумов С.В.1, Гайдуков М.М.1, Гагарин А.Г.1, Алтынников А.Г.1, Козырев А.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследованы структурные свойства сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция различного состава в зависимости от технологических условий осаждения. Показано, что температура осаждения оказывает прямое влияние на фазовый и компонентный состав пленок, параметры кристаллической решетки и размеры кристаллитов. При температуре осаждения порядка 600oC наряду с фазой титаната бария-стронция образуются примесные фазы полититанатов стронция. При увеличении температуры до 880oC в пленках наблюдается недостаток бария по сравнению с распыляемой мишенью. Оценена температура осаждения, обеспечивающая стехиометрический перенос компонентного состава мишени в пленку титаната бария-стронция. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта N 13-02-12096 офи_м и Минобрнауки РФ.
  1. M.W. Cole, C.V. Weiss, E. Ngo, S. Hirsch, L.A. Coryell, S.P. Alpay. Appl. Phys. Lett. 92, 182 906 (2008)
  2. L. Yang, F. Ponche, G. Wang, D. Remiens, J.-F. Legier, D. Chateigner, X. Dong. Appl. Phys. Lett. 97, 162 909 (2010)
  3. О.Г. Вендик. ФТТ 51, 1441 (2009)
  4. А.В. Тумаркин, Е.Р. Тепина, Е.А. Ненашева, Н.Ф. Картенко, А.Б. Козырев. ЖТФ 82, 6, 53 (2012)
  5. О.Ю. Буслов, В.Н. Кейс, A.Б. Козырев, И.В. Котельников, П.В. Кулик. ЖТФ 75, 9, 89 (2005)
  6. А.Б. Козырев, А.В. Иванов, О.И. Солдатенков, А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, С.Ю. Айгунова. Письма в ЖТФ 27, 24, 16 (2001)
  7. А.Б. Козырев, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.В. Тумаркин, С.В. Разумов. Письма в ЖТФ 28, 6, 51 (2002)
  8. A.P. Barranco. Advances in ferroelectrics. In Tech, Havana (2012). 532 p
  9. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Наука, СПб (1996). 304 с
  10. М.М. Гайдуков, А.В. Тумаркин, А.Г. Гагарин, А.Б. Козырев. Письма в ЖТФ 40, 8, 37 (2014)
  11. А.В. Тумаркин, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров. ФТТ 52, 2397 (2010)
  12. B. Zhang, T. Guo, T.-Y. Zhang, Y.-Z. Wang, Z.-C. Quan. Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 126 (2006)
  13. H.W. Chen, C.R. Yang, B. Wang, H. Ji, J.H. Zhang. J. Appl. Phys. 105, 034 112 (2009)
  14. W.-C. Shih, M.-H. Chiang. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21, 844 (2010)
  15. S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin, A.B. Kozyrev, O.G. Vendik, A.V. Ivanov, O.U. Buslov, V.N. Keys, L.C. Sengupta, X. Zhang. Appl. Phys. Lett. 81, 1675 (2002)
  16. Ю.Я. Томашпольский. Пленочные сегнетоэлектрики. Радио и связь, М. (1984). 191 с
  17. В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник. Химия, Л. (1991). 432 с
  18. K. Shibuya, S. Mi, C.-L. Jia, P. Meuffels, R. Dittmann. Appl. Phys. Lett. 92, 241 918 (2008)
  19. A. Lotnyk, S. Senz, D. Hesse. Acta Mater. 55, 2671 (2007)
  20. A. Lotnyk, S. Senz, D. Hesse. Solid State Ionics 177, 429 (2006)
  21. Ю.Я. Томашпольский, Г.Л. Платонов. Сегнетоэлектрические пленки сложных окислов металлов. Металлургия, М. (1978). 200 с
  22. W.J.M. Van der Kemp, J.G. Blok, P.R. Van der Linde, H.A.J. Oonk, A. Schuijff, M.L. Verdonk. CALPHAD: Comput. Coupling Phase Diagrams Thermochem. 18, 255 (1994)
  23. J.J. Ritter, R.S. Roth, J.E. Blendell. J. Am. Ceram. Soc. 69, 155 (1986)
  24. A. Cocco, F. Massazza. Ann. Chim. (Rome), 53, 883 (1963)
  25. G.V. Belov, V.S. Iorish, V.S. Yungman. CALPHAD: Comput. Coupling Phase Diagrams Thermochem. 23, 173 (1999)
  26. Е.К. Казенас, Ю.В. Цветков. Термодинамика испарения оксидов. Изд-во ЛКИ, М. (2008). 480 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.