-1 Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены структурные исследования нитридных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире с буферным слоем GaN и AlGaN, для которых в широком интервале варьировались: период СР (от 50 до 3500 Angstrem), содержание Al в слоях Al_xGa_1-xN (0.1 =<q x=<q0.5) и состав буферного слоя. Характерные для СР пики-сателлиты вплоть до третьего порядка хорошо выявляются на theta-2theta-кривых симметричных брэгговских отражений, theta-кривых симметричной Лауэ-геометрии. Соответствующие кривые хорошо моделируются на основе кинематических формул. С использованием комбинации симметричных брэгговского и лауэвского отражений определены как средние параметры СР, так и толщина, состав и деформация отдельных слоев. Показано, что все исследованные образцы являются частично релаксированными структурами с релаксацией упругих напряжений как между СР в целом и буферным слоем, так и между отдельными слоями. Слои AlGaN находятся в состоянии растяжения, а слои GaN - в состоянии сжатия, при этом по абсолютной величине сжатие слоев GaN больше, чем растяжение слоев AlGaN, что обусловлено вкладом термоупругих напряжений. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16164 и 03-02-17562), Президиумом РАН (комплексная программа научных исследований "Низкоразмерные квантовые структуры") и МО РФ (грант N E02-3.4-182).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.