Вышедшие номера
Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN по данным рентгенодифракционного анализа
Кютт Р.Н.1, Щеглов М.П.1, Давыдов В.Ю.1, Усиков А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

-1 Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены структурные исследования нитридных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире с буферным слоем GaN и AlGaN, для которых в широком интервале варьировались: период СР (от 50 до 3500 Angstrem), содержание Al в слоях AlxGa1-xN (0.1 =<q x=<q0.5) и состав буферного слоя. Характерные для СР пики-сателлиты вплоть до третьего порядка хорошо выявляются на theta-2theta-кривых симметричных брэгговских отражений, theta-кривых симметричной Лауэ-геометрии. Соответствующие кривые хорошо моделируются на основе кинематических формул. С использованием комбинации симметричных брэгговского и лауэвского отражений определены как средние параметры СР, так и толщина, состав и деформация отдельных слоев. Показано, что все исследованные образцы являются частично релаксированными структурами с релаксацией упругих напряжений как между СР в целом и буферным слоем, так и между отдельными слоями. Слои AlGaN находятся в состоянии растяжения, а слои GaN --- в состоянии сжатия, при этом по абсолютной величине сжатие слоев GaN больше, чем растяжение слоев AlGaN, что обусловлено вкладом термоупругих напряжений. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16164 и 03-02-17562), Президиумом РАН (комплексная программа научных исследований "Низкоразмерные квантовые структуры") и МО РФ (грант N E02-3.4-182).
  1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho. Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998)
  2. O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphi, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittner, M. Stutzman, W. Rieger, J. Hilsenbeck. J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999)
  3. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.E. Kozin, V.V. Emtsev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, A.V. Zakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.S. Usikov. Phys. Stat. Sol. (a) 188, 863 (2001)
  4. P. Cozodoy, M. Hansen, S.P. DenBaars, M.K. Mishra. Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999)
  5. S. Tripathy, S.J. Chua, P. Chen, Z.L. Miao. J. Appl. Phys. 92, 3503 (2002)
  6. D. Korakakis, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 72, 1004 (1998)
  7. R. Langer, J. Simon, O. Konovalov, N. Pelekanos, A. Barski, M. Leszczy'ski. MRS-Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 46 (1998)
  8. Cho Yong-Hoon, F. Feller, R.J. Hauenstein, G.H. Park, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. J. Appl. Phys. 85, 3006 (1999)
  9. A. Saxler, P. Debray, R. Perrin, S. Elhamri, W.C. Mitchel, C.R. Elsass, I.P. Smorchkova, B. Hejing, E. Haus, P. Fini, J.P. Ibbetson, S. Keller, P.M. Petroff, S.P. DenBaars, U.K. Mishra, J.S. Spek. J. Appl. Phys. 87, 369 (2000)
  10. J. Bai, T. Wang, S. Sakai. J. Appl. Phys. 90, 1740 (2001)
  11. S. Yamaguchi, M. Kosaki, Y. Watanabe, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett. 79, 3062 (2001)
  12. A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Blassing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, M. Heuken. Appl. Phys. Lett. 78, 2211 (2001)
  13. S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, D. Hommel. J. Appl. Phys. 89, 2160 (2001)
  14. M.A. Tagliente, L. De Caro, L. Tapfer, P. Waltereit, O. Brandt, K.-H. Ploog. J. Appl. Phys. 92, 70 (2002)
  15. H.-M. Wang, J.-P. Zhang, C.-Q. Chen, Q. Fareed, J.-W. Yang, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)
  16. Z. Zhong, O. Ambacher, A. Link, V. Holy, J. Stangl, R.T. Lechner, T. Roch, G. Bauer. Appl. Phys. lett. 80, 3521 (2002)
  17. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B.P. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996)
  18. T. Metzger, R. Hopler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stommer, M. Schuster, H. Gobel, S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk. Phil. Mag. A 77, 1013 (1998)
  19. R. Kyutt, V. Ratnikov, G. Mosina, M. Scheglov. Solid Stat. Phys. 41, 25 (1999)
  20. V.S. Speriosu, T. Vreeland. J. Appl. Phys. 56, 1591 (1984)
  21. R.N. Kyutt, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Surf. Sci. 166, 341 (2000)
  22. H. Angeger, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzman, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsh, H.-J. Korner. Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997)
  23. D. Polan, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)
  24. V. Ratnikov, R. Kyutt, T. Shubina, T. Pashkova, E. Valcheva, B. Monemar. J. Appl. Phys. 88, 6252 (2000)
  25. V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Pashkova, B. Monemar. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, A30 (2001)
  26. C.G. Jiao, D. Cherns. Inst. Phys. Conf. Ser. 169, 327 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.