Вышедшие номера
Упругое рассеяние экситонных поляритонов
Аверкиев Н.С.1, Савченко Г.М.2, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: averkiev.les@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Проведен теоретический расчет вероятности упругого рассеяния на примесях экситонных поляритонов, в тонких образцах GaAs. Показано, что в тонких образцах технически чистого GaAs выполняются условия существования экситонных поляритонов, и продемонстрировано, что в GaAs учет поляритонного эффекта приводит лишь к незначительному уменьшению вероятности рассеяния, рассчитанной для "голого" экситона. Обсуждается роль упругого рассеяния экситонных поляритонов в поглощении света полупроводником. Работа поддержана грантом президента РФ НШ-1085.2014.2, а также частично грантами РФФИ (проекты N 14-02-00624 и 14-02-01160). Работа одного из авторов (Н.С.А.) выполнена при поддержке Правительства РФ (договор N 14.Z50.31.0021, ведущий ученый М.Х. Байер).