Вышедшие номера
Прохождение электронов низких энергий через ультратонкие слои оксида фталоцианина олова
Комолов А.С.1, Лазнева Э.Ф.1, Герасимова Н.Б.1, Панина Ю.А.1, Барамыгин А.В.1, Ахремчик Я.В.1, Поволоцкий А.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.komolov@spbu.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Приведены результаты исследования прохождения электронов низких энергий через пленки оксида фталоцианина олова (IV) (SnOPc) толщиной до 8 nm на поверхности подложки окисленного кремния. Использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) при изменении энергии падающего пучка электронов от 0 до 25 eV. Установлена структура максимумов в спектрах полного тока пленок SnOPc, проведен анализ изменения интенсивностей максимумов спектров полного тока, исходящих от осаждаемой пленки SnOPc и от подложки (SiO2)n-Si в процессе увеличения толщины органического покрытия до 8 nm. При таком увеличении толщины органического покрытия происходит увеличение работы выхода поверхности на 0.7 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO2)n-Si к пленке SnOPc. Измерены спектры оптического поглощения пленок SnOPc. Проведено сравнение спектров поглощения и спектров, измеренных методом СПТ, для пленок SnOPc и пленок молекул бескислородного металлофталоцианина. Работа выполнена при поддержке грантов СПбГУ 11.38.219.2014 и РФФИ (N 14-03-00087а); использовано оборудование ресурсного центра СПбГУ "Оптические и лазерные методы исследования вещества".