Издателям
Вышедшие номера
Особенности электронной и атомной структуры нанокристаллов кремния в матрице алюминия
Терехов В.А.1, Лазарук С.К.2, Усольцева Д.С.1, Лешок А.А.2, Кацуба П.С.2, Занин И.Е.1, Спирин Д.Е.1, Степанова А.А.1, Турищев С.Ю.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: ftt@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методами растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, рентгеновского поглощения вблизи края изучены пленки нанокомпозитов Al-Si, полученные методом магнетронного распыления составной мишени на кремниевую подложку. Обнаружено, что включения кремния представляют собой нанокристаллы со средним размером 20-25 nm, поверхность которых покрыта слоем аморфного кремния. В исходных пленках из-за наличия алюминиевой матрицы происходит изменение зонной структуры, в частности локализация состояний у дна валентной зоны. После удаления алюминия структура валентной зоны становится такой же, как в объемном материале, а структура зоны проводимости свидетельствует о наличии разупорядоченного поверхностного слоя толщиной ~5 nm. Часть работы выполнена при поддержке Минобрнауки РФ в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2014-2016 гг. Проект N 1606, задание N 3.1868.2014/K.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  2. В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП 35, 854 (2001)
  3. Е.С. Демидов, Н.А. Добычин, В.В. Карзанов, М.О. Марычев, В.В. Сдобняков, С.В. Хазанова. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского 5(2), 298 (2010)
  4. С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, В.А. Лабунов, А.А. Лешок, В.Е. Борисенко. ФТП 41, 1126 (2007)
  5. С.К. Лазарук, А.А. Лешок, П.С. Кацуба. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сб. трудов VIII Междунар. конф. Изд-во Политехн. ун-та, СПб. (2012). С. 124
  6. В.А. Терехов. С.Н. Тростянский, А.Е. Селезнев, Э.П. Домашевская. Поверхность. Физика, химия, механика 5, 74 (1988)
  7. А.С. Шулаков, А.П. Степанов. Поверхность. Физика, химия, механика 10, 146 (1988)
  8. В.А. Немошкаленко, В.Г. Алешин. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Наук. думка, Киев (1974). 376 с
  9. Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Изд-во ЛГУ, Л. (1971). 132 с
  10. J. Klima. J. Phys. C 3, 70 (1970)
  11. Д.Г. Томбулиан. В сб.: Рентгеновские лучи / Под ред. М.А. Блохина. ИИЛ, М. (1960). 468 с
  12. Т. Карлсон. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. Машиностроение, Л. (1981). 432 с
  13. Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
  14. С.К. Балагуров, Н.Ю. Карпова, В.А. Терехов, С.Н. Тростянский, Э.П. Домашевская. ФТТ 33, 3033 (1991)
  15. V.A. Terekhov. Поверхность 4-5, 167 (1997)
  16. V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetel'baum. Physica E 38, 16 (2007)
  17. V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, K.N. Pankov, I.E. Zanin, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov, A.I. Belov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov. Surface Interface Analys. 42, 891 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.