Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности электронной и атомной структуры нанокристаллов кремния в матрице алюминия
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: ftt@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Методами растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, рентгеновского поглощения вблизи края изучены пленки нанокомпозитов Al-Si, полученные методом магнетронного распыления составной мишени на кремниевую подложку. Обнаружено, что включения кремния представляют собой нанокристаллы со средним размером 20-25 nm, поверхность которых покрыта слоем аморфного кремния. В исходных пленках из-за наличия алюминиевой матрицы происходит изменение зонной структуры, в частности локализация состояний у дна валентной зоны. После удаления алюминия структура валентной зоны становится такой же, как в объемном материале, а структура зоны проводимости свидетельствует о наличии разупорядоченного поверхностного слоя толщиной ~5 nm. Часть работы выполнена при поддержке Минобрнауки РФ в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2014-2016 гг. Проект N 1606, задание N 3.1868.2014/K.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
- В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП 35, 854 (2001)
- Е.С. Демидов, Н.А. Добычин, В.В. Карзанов, М.О. Марычев, В.В. Сдобняков, С.В. Хазанова. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского 5(2), 298 (2010)
- С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, В.А. Лабунов, А.А. Лешок, В.Е. Борисенко. ФТП 41, 1126 (2007)
- С.К. Лазарук, А.А. Лешок, П.С. Кацуба. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сб. трудов VIII Междунар. конф. Изд-во Политехн. ун-та, СПб. (2012). С. 124
- В.А. Терехов. С.Н. Тростянский, А.Е. Селезнев, Э.П. Домашевская. Поверхность. Физика, химия, механика 5, 74 (1988)
- А.С. Шулаков, А.П. Степанов. Поверхность. Физика, химия, механика 10, 146 (1988)
- В.А. Немошкаленко, В.Г. Алешин. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Наук. думка, Киев (1974). 376 с
- Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Изд-во ЛГУ, Л. (1971). 132 с
- J. Klima. J. Phys. C 3, 70 (1970)
- Д.Г. Томбулиан. В сб.: Рентгеновские лучи / Под ред. М.А. Блохина. ИИЛ, М. (1960). 468 с
- Т. Карлсон. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. Машиностроение, Л. (1981). 432 с
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
- С.К. Балагуров, Н.Ю. Карпова, В.А. Терехов, С.Н. Тростянский, Э.П. Домашевская. ФТТ 33, 3033 (1991)
- V.A. Terekhov. Поверхность 4-5, 167 (1997)
- V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetel'baum. Physica E 38, 16 (2007)
- V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, K.N. Pankov, I.E. Zanin, E.P. Domashevskaya, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov, A.I. Belov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov. Surface Interface Analys. 42, 891 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
